磁电式传感器资料.ppt

5.3.3 霍尔元件的主要特性参数 4.不等位电势和不等位电阻 在额定激励电流作用下，B 0时的空载霍尔电势称不等位电势。产生这一现象的原因有 ①霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； ②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀； ③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 5.3.3 霍尔元件的主要特性参数 不等位电势也可用不等位电阻表示 式中，IH为额定激励电流。 由上式可以知，不等位电势就是激励电流流经不等位电阻R0所产生的电压。 5.3.3 霍尔元件的主要特性参数 5.霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称霍尔电势温度系数。它同时也是灵敏度的温度系数。 6.内阻温度系数 定义为，不加外磁场，在工作温度范围内，温度每变化1℃时，霍尔元件输入电阻与输出电阻变化的百分率。 5.3.3 霍尔元件的主要特性参数 7.寄生直流电势 在B 0、交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称寄生直流电势。寄生直流电势一般在1mV以下，它是影响霍尔片温漂的原因之一。其产生的原因有 ①电极接触不良，形成非欧姆接触，造成整流效果； ②两个霍尔电极大小不对称，则两个电极的热容不同，散热状态不同形成极向温差电势。 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 霍尔元件应用中产生误差的两个主要原因是温度的影响和不等位电势的影响。 1.霍尔元件温度补偿 半导体材料有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化，从而使霍尔元件产生温度误差。 同时也使得霍尔元件参数的离散程度较大，不利于互换。 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 为了减小温度误差，除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外，由UH KHIB可看出，采用恒流源供电可以减小由于输入电阻随温度变化而引起的激励电流I变化所带来的影响。 霍尔元件的灵敏度系数KH也是温度的函数，它与温度的关系可写成 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 1 采用恒流源并联分流电阻 恒流源供电，用分流电阻RT与霍尔元件的激励电极相并联。 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 设温度为T0时，霍尔元件灵敏度为KH0，灵敏度温度系数为a，输入电阻为RIN0，内阻温度系数为b；补偿元件阻值为RT0，温度系数为d。 由分流原理得 当温度升至T时，电路中各电阻变为 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 仍根据分流原理，得温度升高DT后的激励电流为 为使UH在升温前后不变，即UH0 UH，应满足 将式 5.34 和式 5.35 代入上式，略去ad DT 2项得 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 当霍尔元件选定后，a、b及RIN0已知，由式 5.37 ，可确定d和RT0。为满足d与RT0两个条件，补偿元件可能需用不同温度系数的温度敏感元件，采用串联或并联方式组合而成。 甚至可用温度系数极小的电阻如锰铜电阻代替RT，令式 5.37 中的d 0，即可得锰铜电阻阻值R0 这样只需满足R0一个条件 。 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 2 合理选择负载电阻RL 设霍尔元件的负载电阻为RL 假设其温度系数可忽略 ，则温度为T时的输出应满足 UH0为T0时的霍尔电势，Rout0为T0时的输出电阻，a为霍尔电势温度系数，b为内阻温度系数。得 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 3 采用恒压源和输入回路串联电阻法 如图所示，合理选择参数，可实现温度补偿。 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 2.霍尔元件不等位电势的补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级， 甚至超过霍尔电势。由于不等位电势与不等位电阻是一致的，可以采用分析电阻的方法来找到不等位电势的补偿方法。极间分布电阻分别用R1、R2、R3、R4表示。理想情况下，R1 R2 R3 R4，零位电势为零。 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 存在不等位电势时，说明这四个电阻阻值不相等，视为电桥的四个桥臂，则电桥不平衡。在阻值较大的桥臂上并联电阻，仔细调节其阻值，可补偿霍尔元件的不等位电势。对交流测量电路，可混合采用电阻、电容或电感进行补偿。 5.3.4 霍尔元件的温度补偿与不等位电势补偿 需说明的是，产生不等位电势的原因很多，要完全消除霍尔元件的不等位电势是很困难的，补偿电路的作用是将其尽可能降低。 5.3.5 霍尔元件应用举例 有三种应用方式 ①激励电流不变时，传感器的输出正比于磁感应强度。因此，凡是能转换成磁感应强度变化的物理量均可测量，如位移、加速度、角度和