7-位错塞积绪论.ppt

* * 根据化学势定义 : 二元系某一相（成份为xB）的摩尔吉布斯自由能Gm为 : 上式微分，得 根据吉布斯-杜亥姆方程，恒温恒压下有 则 上式两端乘以xA/dxB，并利用dxA=?dxB，得 把上式代入Gm的式子，得 同理，有 对于多元系，同样可以获得 看它的几何意义：由A-B二元系a相的自由能曲线对应xB成分的自由能M，以M为切点作切线，它在A和B轴 的交点就是xB 成分a相 的A和B的化学势mA和mB。 图中的M高度就是Gm，M点的水平线与切线在A和B轴交点间的距离就是xB(dGm/dxA)和xA(dGm/dxB)，所以切线在A和B轴 的交点就是xB 成分a相的A和B的化学势mA和mB。 位错的塞积 位错塞积群 在分切应力的作用下，由同1个位错源放出的位错在障碍前受阻，这些位错就在障碍前排列起来，这一组位错组态称为塞积群。把塞积群中的位错从障碍物前按1、2、3…顺序编号，第1个位错到最后一个位错间的长度定义为为塞积群长度L，把坐标原点放在塞积群的中点。障碍物只对塞积群的领头位错有作用力，这样，除了领头位错外，塞积群中每一个位错受到外加切应力的作用同时也受群中所有其它位错的交互作用。平衡时，故第j个位错受的总力Fj为 0 ： n个位错的塞积群有n-1个这样的方程，解这个n-1个联立方程就可以求得每一个位错的位置(xj)。塞积群的问题基本解决。 不锈钢中在晶界前的位错塞积群 用虚功原理估算塞积群对障碍物的作用力。设在外应力作用下领头位错向障碍物方向移动了?x，由于整个塞积群要保持平衡，所以每个位错也移动?x，这样，外力对塞积群作功为?nb?x；障碍物设施给领头位错的切应力为?h，当领头位错移动?x时，障碍物这一反作用力作功为?b?x。上述两种功应相等，故 塞积群在障碍物处产生了很大的应力集中，其应力为外加应力的n倍。这一应力集中对材料塑性变形行为有很大作用 。 位错源开动放出位错在源的两侧使位错受阻时，位错在两边塞积起来，源的两测所塞积的位错是反号的，这类塞积称双边塞积。塞积群的总长度L?2a。 刃位错的双边塞积 采用连续分布位错模型，即把位错塞积群看作是位错沿整个塞积长度连续分布的，这些位错的柏氏矢量都为b，而在各处的位错密度（单位长度的位错数目） n(x)是 式中的正负号是对应于正负号位错而言的。平衡时，可把力的加和变为积分来表示连续分布时的平衡情况，即 为了计算方便，令??x/a，上式变为 用Hilbert变换来解上面的积分方程是很方便的。Hilbert变换定义为 这个变换把f(y)函数变成x为变量的的函数。契贝谢夫多项式的Hilbert变换对解塞积的积分方程非常有用。契贝谢夫多项式定义为 设cos?=x，下面是这些多项式中的一些项的例子： U2=4x2?1 U1=2x U0=1 U?1=0 T2=2x2?1 T1=x T0=1 T?1=x 这些多项式的的递推公式是： Tn和Un之间可用Hilbert变换联系起来： 因为 ，所以， 左端可写成 而 式右端恰好是n(??)的Hilbert变换，故： 的??换回以x表达(?＝x/a)，得 塞积群中的位错的数目N为： 允许塞积的长度L越大，塞积的位错数目越多。这可以解释粗大晶粒比细小晶粒材料的塑性差的原因，在相同应力作用下，粗大晶粒比细小晶粒在晶界边塞积的位错数目多，因而在晶界附近引起的应力集中较大，这一方面使得大晶粒易于促发另一晶粒的源开动，从而使屈服强度降低；另一方面大晶粒的塞积群的较大应力集中易于萌发裂纹，从而降低塑性。 滑开型裂纹（II型裂纹）的位错塞积模型 裂纹顶端附近的变形形式如右图所示。从形式上看，这类裂纹的变形和由一组同号刃位错在滑移面上扫过到达某障碍物（裂纹前沿）的塞积群的一样。塞积群前沿的应力场可用来表示这类裂纹前沿的应力场。 在x?1?x?1+dx?1处的位错在(x1, x2)处的应力分量??12为： 整个塞积群在(xl, x2)处的应力分量?12加上外加应力为： 再把n(x1)的表达式代入，得： 为了计算方便，令??x1/a，??x2/a，上式变成 利用复变函数的留数定理来处理上式的积分，以f(??)表示上式的被积函数。f(??)在????1时是奇点，并且?????i?时是二级极点。 令??＋＝?＋i?，???＝??i?。在复平面取积分围道，有： f(??)在????1时是奇点，?????i?时是二级极点。令??＋＝?＋i?，???＝??i?。在复平面取积分围道，有： 因为????时，f(??)=?1/i??，所以 而对C围道积分可分成： 又因