2-4单极型晶体管(场效应管)课稿.pptVIP

* §2-4 单极型晶体管 （场效应管） 学习要点： 结型场效应管导电特性 绝缘栅型场效应管（MOS管）的参数 单极型晶体管 2-4-1 结型场效应管 2-4-2 绝缘栅型场效应管 MOS管 2-4-3 场效应管特性参数 2-4-4 场效应管与三极管特性比较 退出 2-4-1 结型场效应管 双、单极型晶体管区别—— 1 双极型：属电流控制型 2 单极型：属电压控制型 场效应管分类 FET —— 1 结型（JFET）: “P沟道”，空穴导电 “N沟道”，电子导电 2 绝缘栅型（MOS）：“增强型PMOS、NMOS” “耗尽型PMOS、NMOS” 1.结构与符号 a N沟道 b P沟道 导通条件——N沟道：uGS≤0、uDS 0 P沟道：uGS≥0、uDS 0 2.特性曲线（以N沟道为例） N沟道结型场效应管特性曲线 可变电阻区 饱和区 截止区 击穿区 饱和漏电流 1 可变电阻区——D、S间等效电阻RDS 栅源电压负值↑→输出特性愈倾斜→RDS↑→称”可变电阻区” 2 饱和区（恒流区）——在放大电路中，一般就工作在这个区域 iD受 uGS控制（电压控制型），且近似线性关系（线段平行、 等间距），所以称为线性放大区或恒流区。 3 截止区（夹断区）——iD≈0 击穿区——当uGS↑↑→耗尽层的电压↑↑→栅漏间的PN结 雪崩击穿→iD↑→管子不能正常工作，不允许工作在这个区域 2-4-2 绝缘栅型场效应管 MOS管 ——栅极不导电，G—S间等效电阻非常大，约1015Ω 1.结构与符号 （仅给出NMOS。PMOS只是衬底电流方向相反） N沟道绝缘栅场效应管的结构及符号 a 结构 b 增强型NMOS c 耗尽型NMOS 2.特性曲线（以增强型NMOS为例） 总结：1）增强型MOS管——加入uGS电压→沟道形成→导通 要求：NMOS——uGS UGS th 0 PMOS——uGS UGS th 0 UGS th →“开启电压”，即沟道形成的最小电压 增强型MOS管所特有 2）耗尽型MOS管——制造时内部已存在一个导电沟道 当uGS 0、uGS≠0时→电流为常量IDSS→称“漏极 饱和电流” 当uGS UGS off 时→原有导电沟道夹断→不导电 UGS off →“夹断电压”，耗尽型MOS管所特有 3）其它类型场效应管工作特性——见书P63 2-4-3 场效应管特性参数 1. 开启电压UGS th 和夹断电压UGS off ——当uDS一定时，使iD为某一最小值（刚导通）时所外加 的G-S电压 增强型存在——UGS th 耗尽型存在——UGS off 2.饱和漏电流IDSS ——耗尽型管特有参数，且为当uGS 0时的漏电流 3.低频跨导gm——反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力 4.极限参数 ——IDM：最大漏极电流。工作时允许的最大漏极电流。 PDM：最大耗散功率。　PDM＝uDS·iD U BR DS：漏源击穿电压 U BR GS：栅源击穿电压