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半导体物理Semiconductor Physics 第四章 半导体的导电性 （载流子的输运现象） 第四章 半导体的导电性 引言 一般来说，输运现象所讨论的对象是在电场、磁场以及温度场(或相应的温度梯度)作用下电荷和能量的输运问题，它具有广泛的实际意义。理论上，这是一个涉及内容相当广泛的非平衡统计问题．通过输运现象的研究可以了解载流子和晶格以及晶格缺陷相互作用的性质。 但在这一章中，我们主要只限于讨论弱电场和弱磁场下半导体中的电荷输运问题：电导、霍尔效应。只限于讨论具有球形等能面的抛物性能带、对载流子的运动可作准经典描述的简单情形，即可把载流子看作具有各向同性有效质量的经典粒子。 引言 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 4.2 载流子的散射 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.5 玻尔兹曼方程 电导率的统计理论（自学） 4.6 强电场下的效应 热载流子 4.7 多能谷散射 耿氏效应 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 4.1.1 电导的微观理论 电导的宏观理论：欧姆定律 4.1.1 电导的微观理论 4.1.2 漂移运动 半导体中在没有外加作用的时，载流子作无规则的热运动 在外加电场作用下，则作定向运动 4.1.2 漂移运动 4.1.3 半导体的电导率和迁移率 在半导体中有两种载流子：n，p 强n型，np 强p型，pn 本征半导体 4.1.3 半导体的电导率和迁移率 注意： 1）电子迁移率比空穴迁移率大。 （电子是在导带中，是脱离共价键可以在半导体中自由运动的电子；而空穴是在价带中，空穴电流实际上是代表了共价键上的电子在价键间运动时所产生的电流。在相同的电场作用下，电子平均漂移速度要大些） 2）在第一章中，电子移走所留下的空穴速度与电子速度相等，有效质量相等，符号相反，其速度指电子/空穴的运动速度，此处指平均漂移速度。 4.1.3 半导体的电导率和迁移率 3）在不同的晶体材料中迁移率可在很大范围内变化。可从10到106cm2／V?s数量级(例如在低温下零禁带半导体Hg1-xCdxTe中)。 4）在常见半导体中：迁移率通常在102－104cm2/V·s范围内。 4.1.4* 霍尔效应 4.1.4* 霍尔效应 产生霍尔效应的原因：作漂移运动的载流子，在垂直磁场作用下，因受洛伦兹力而产生偏转，结果在样品两侧造成电荷积累。由此产生的横向电场所引起的漂移电流和洛伦兹力产生的霍尔偏转电流抵消。也可简单地把霍尔效应看作洛伦兹力和霍尔电场所产生的静电力之间平衡的结果。 对于n型样品和p型样品：若电流方向相同，则电子和空穴的流动方向相反。由于电子和空穴所带的电荷符号相反，因此它们所受到的洛伦兹力方向相同，即向同一方向偏转。 4.1.4* 霍尔效应 霍尔效应的应用： 判断载流子类型 确定载流子浓度（在饱和区可确定掺杂浓度） 与电导率同时测量，得到载流子迁移率 4.2 载流子的散射 4.2.1 散射对载流子运动的影响 问题：理想半导体，电子在外电场作用下，做什么运动？ （电阻R如何形成的？） 4.2.1 散射对载流子运动的影响 4.2.1 散射对载流子运动的影响 由于散射所致! 在讨论电子状态时，我们假想了理想周期晶格。此时，载流子并不会改变自己的运动方向(即保持k值不变)，就是说理想晶格并不散射电子。即：若某一时刻晶体中的电子处于某一状态，那么这种状态将长期保持下去。 但在实际晶体中存在各种晶格缺陷，晶格本身也不断进行着热振动，它们使实际晶格势场偏离理想的周期势场。这相当于在严格的周期势场上叠加了附加的势。这个附加的势场作用于载流子，将改变载流子的运动状态，引起载流子的散射。 载流子和晶格振动的相互作用不但可以改变载流子的运动方向，而且可以改变它的能量．我们也常把散射称为碰撞。 4.2.1 散射对载流子运动的影响 无外场时，假设某一时刻晶体中的某些载流子的速度具有某一相同的方向。在经过一段时间以后，由于碰撞，这些载流子的速度将机会均等地分布在各个方向上。 与这些载流子具有沿某一方向的初始动量相比，散射使它们失去原有的动量．这种现象称为动量弛豫。 在晶体中，载流子和晶格缺陷之间的碰撞进行得十分频繁，每秒大约可发生1012 － 1013次．因此这种弛豫过程所需的时间仅约10－12 － 10－13秒．正是上述散射过程导致平衡分布的确立．在平衡分布中载流子的总动量为零．在晶体中不存在电流。 4.2.1 散射对载流子运动的影响 考虑晶体中存在电场的情况。 电场的作用在于使载流子获得沿电场方向的动量。每个载流子单位时间内由电场获得的动量为qE。但是由