半导体物理基本知识1题材.ppt

关于能带的几个基本概念 能带（energy band）包括允带和禁带。 允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。 禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。 允带又分为空带、满带、导带、价带。 空带（empty band）：不被电子占据的允带。 满带（filled band）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。 导带（conduction band）：电子未占满的允带（有部分电子。） 价带（valence band）:被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。 有效质量 费米分布函数与费米能级 例：量子态的能量 E 比 EF 高或低 5kT 费米分布函数与费米能级 EF 的意义: 玻尔兹曼分布 电子的玻氏分布： 玻尔兹曼分布 例如：E－EF=5kT时： 玻尔兹曼分布 本征Si: 玻尔兹曼分布 空穴的玻氏分布： 玻尔兹曼分布 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 本征半导体 本征半导体 本征半导体 本征半导体 本征载流子浓度及影响因素 本征载流子浓度及影响因素 N 型半导体 P 型半导体 在 Si 中掺入 B 应用 应用 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 以只含施主杂质的n型半导体为例 非简并杂质半导体的载流子浓度 （1）低温弱电离区 温度很低时，电离施主极少，此时 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 EF随温度T的变化： 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 中等电离区 非简并杂质半导体的载流子浓度 强电离区（饱和电离区） 温度继续升高，杂质接近全部电离，电中性条件变为： n0=ND，将 代入得： 非简并杂质半导体的载流子浓度 弱电离 非简并杂质半导体的载流子浓度 2. 过渡区 当温度较高本征激发不能被忽略，此时空穴浓度不能被忽略，电中性条件为n0=ND+p0，再利用n0p0=ni2,得 非简并杂质半导体的载流子浓度 3.本征激发区（高温） 当温度进一步升高,使本征激发所产生的载流子浓 度远大于杂质电离产生的载流子浓度（即niND），电中性条件为:n0=p0。 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 简并半导体 简并半导体的载流子浓度 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 重掺杂： 当半导体中的杂质浓度超过一定数量时，载流子开始简并化的现象。 杂质浓度越高，简并化就越容易发生。 杂质能带： 在简并半导体中，杂质浓度高，导致杂质原子之间电子波函数发生交叠，使孤立的杂质能级扩展为杂质能带。 简并半导体 小结 小结 小结 小结 小结 小结 小结 公式推导 ND 0 ni T n n 型硅中电子浓度与温度关系 n 200 400 600 杂质弱电离区 杂质强电离区 （饱和区) 过渡区 本征区 计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。 一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni 属于饱和电离区 注意： N型： no=ND P型： po=NA 其中： 1. EF 位于导带中 费米积分 ξ -4 -3 -2 -1 -1/2 0 1/2 F1/2(ξ) 0.016 0.043 0.115 0.29 0.45 0.689 0.99 1 2 3 4 1.396 2.502 3.977 5.771 2. EF 位于价带中 简并化条件 非简并： 简并： 0·1 -4 -2 0 2 4 6 8 0.2 0·5 2 5 10 20 费米 经典 no 1