薄膜溅射5题材.pptVIP

中南大学物理学院 结构 射频溅射装置如图所示。相当于直流溅射装置中的直流电源部分改由射频发生器、匹配网络和电源所代替，利用射频辉光放电产生溅射所需正离子。 4.几种典型的溅射镀膜方法 （1）直流（二极）溅射镀膜 靶材为阴极 基片置于阳极 极间电压约1-5KV 真空度1-几百Pa 放电气体：Ar + - 工 作 参 数 溅射 功率 放电 电压 气体 压力 电极 间距 溅射时主要监视的参数 二 极 溅 射　 在10-1Pa以上的真空度下产生辉光放电，同时形成满足溅射要求的高密度等粒子体 改革措施 加强靶的冷却，在减少热辐射时减少或减弱由靶放出的高速电子对基板的轰击 二 极 溅 射　 选择适当的入射粒子能量 直流溅射又称阴极溅射或二极溅射，设备简单。 主要缺点：不能独立控制各个工艺参数，如阴极电压、电流及气压等， 制备时的气压较高，溅射速率低，容易升温，只能溅射导体，目前使用很少。 为二极溅射添加一个发射电子的热阴极和一个辅助阳极，改造成三极 或四极溅射装置，可提高溅射速率，减少气体污染，但仍难于获得大 面积均匀的等离子体，沉积速率也较低，因此四极溅射仍未能大规模应用 2，偏压溅射 １．区别 　　与直流二极溅射的区别在于为基片上施加一固定的直流偏压，也可为射频偏压。 ２．原理 　　直流偏压溅射的原理示意如图，若在基片上施加的是负偏压，则在薄膜淀积过程中，基片表面都将受到气体离子的稳定轰击，随时清除可能进入薄膜表面的气体，有利于提高薄膜的纯度。并且也可除掉粘附力弱的淀积粒子，加之在淀积之前可对基片进行轰击清洗，使表面净化，从而提高了薄膜的附着力，同时对薄膜组织和电阻率等均有相应的改变，通常负偏压在数百伏之内。 偏压溅射在目前科研和生产过程中应用颇多。 偏　压　溅　射 直流偏压溅射图 1—溅射室 2—阴极 3—基片 4—阳极 5—排气系统 6—氩气入口 偏　压　溅　射 图示为基片加不同偏压时钽膜电阻率的变化。偏压在-100V至100V范围，膜层电阻率较高，属 -Ta即四方晶结构，当负偏压大于100V时，电阻率迅速下降，这时钽膜已从相变为正常体心立方结构。这种情况很可能是因为基片加上正偏压后，成为阳极，导致大量电子流向基片，引起基片发热所致。 钽膜电阻率与基片偏压关系 3，射频溅射 适用于导体、半导体、绝缘体，工作气压和靶电压较低 射频是无线电波发射范围的频率，为避免干扰电台工作，溅射专用频率规定为13.56MHz。 缺 点 大功率射频电源造价昂贵 具有人身防护问题 不适宜工业生产应用 射频溅射装置 原理 射频电源对绝缘靶之所以能进行溅射镀膜，主要是因为在绝缘靶表面上建立起负偏压的缘故。对于直流溅射来说，如果靶材不是良导体材料，而是绝缘材料的话，正离子轰击靶面时靶就会带正电，从而使电位上升，离子加速电场就要逐渐变小，以致发展到离子不能溅射靶材，于是辉光放电和溅射就停止了。如果在靶上施加的是射频电压，由于电子的质量比离子的质量小得多，故其迁移率很高，仅用很短时间就可以飞向靶面，相对于负半周期，在正半周期内有更多的电子到达靶表面，使其表面因空间电荷呈现负电位，将靶变成负的自偏压，从而实现对绝缘材料的溅射，从而实现了在正、负半周中，均可产生溅射。 在射频溅射装置中，等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内振荡，因此，电子与工作气体分子碰撞并使之电离的几率非常大，故使得击穿电压和放电电压显著降低，其值只有直流溅射时的十分之一左右。 4，反应溅射： 在溅射化合物薄膜时，可以直接使用化合物靶材，也可在通入活性反应气体的情况下，溅射靶材时，由溅射原子与反应气体在靶表面反应形成化合物（氮化物、碳化物、氧化物）。 靶中毒：反应气体可能与靶反应，在靶表面形成化合物，使溅射无法进行； 沉积膜的成分不同于靶材； 化合物靶材溅射后，组元成分（氧、氮）含量下降，补偿反应气体； 调整氩气和反应气体分压，可控制化合物薄膜的组成、沉积速率和薄膜性能。 ① 反应溅射特征： ② 靶中毒现象： 取决于金属与反应气体的结合特性及形成化合物表层的性质。 降低薄膜沉积速率，化合物的溅射产额低于金属的溅射产额。 ③ 降低靶中毒措施： 将反应气体输入位置远离靶材靠近衬底。 提高靶材溅射速率，降低活性气体的吸附。 采用中频或脉冲溅射。 反应溅射应用： 5, 磁控溅射镀膜 由Penning 发明，可在较低的工作气压下得到较高的沉积速率，在较低的基片温度下获得高质量薄膜。在高速沉积金属、半导体和介电薄膜等方面应用很广。 常见的工作气压在0.1-3Pa之间，电压在300-700伏。 磁控溅射镀膜 与直流溅射相似，不同之处在于阴极靶的后面设置磁场，磁场在靶材表面形成闭合的环形磁场，与电场正交。 ① 将等离子束缚在靶表面 ② 电子作旋进运动，使原子电离机