薄膜物理3-1磁控溅射原理题材.pptVIP

3—1 气体的放电现象与等离子体 电子与离子具有不同速度的一个直接后果是形成等离子鞘层。 这是因为任何处于等离子体中的物体，如靶材和衬底，均会受到等离子体中各种粒子的轰击。由于离子的质量远大于电子，因而轰击物体表面的电子数目将远大于离子数目，物体表面将剩余出多余的负电荷而呈现负电位。 电位的建立将排斥电子并吸附离子，使得到达物体表面的电子数目减少，离子数目增加，直到到达物体表面的电子与离子数目相等时，物体表面的电位才达到平衡。 这导致浸没在等离子体中的物质，包括阴极和阳极，外表面无一例外地相对于等离子体本身处于负电位，即在其表面形成了一个排斥电子的等离子体鞘层，其厚度依赖于电子的密度和温度，其典型的数值大约 100 um。 二 表征溅射特性的基本参数 表征溅射特性的基本参数主要有溅射阈值、溅射率、溅射原子的能量和速度等。 溅射阈值 溅射阈值是指使靶材原子发生溅射的人射离子所必须具有的最小能量。 不同靶材的溅射阈值有明显不同。 溅射阈值随入射离子的变化很小。 对处于周期表同一周期中的元素，溅射阈值随着原子序数的增加而减小。 表2-11列出了某些金属元素的溅射阈值。 2. 溅射率 溅射率表示正离子轰击靶阴极时，平均每个正离子能从靶阴极上打出（溅射出）的原子个数，又称溅射产额或溅射系数，常用 S 表示。 溅射率与人射离子的种类、能量、角度，以及靶材的类型，晶格结构、表面状态、升华热大小等因素有关，如果靶材是单晶靶材，溅射率还与晶体的取向有关。 入射离子种类与溅射率的关系 溅射率依赖于人射离子的原子量，原子量越大，则溅射率越高。同时，也与入射离子的原子序数有关，呈现出随着离子的原子序数周期性变化的关系。 图2-27说明，在周期表每一排中，凡电子壳层填满的元素就有最大的溅射率。因此，惰性气体的溅射率最高。而位于元素周期表的每一列中间部位元素的溅射率最小，如 Al、Ti 、Zr等。所以，在一般情况下，入射离子大多采用惰性气体，考虑到经济性，通常选用Ar为工作气体，同时，惰性气体可以避免与靶材发生化学反应。 用 Ar 离子轰击铜时，离子能量与溅射率的关系如图 2-26 所示，图中能量范围扩大到 100keV ，这一曲线可分成三部分：第一部分是几乎没有溅射的低能区域；第二部分的能量从 70eV 至 10keV ，这是溅射率随离子能量增大的区域，用于溅射淀积薄膜的能量值大都在这一范围内；第三部分是 30keV 以上，这时溅射率随离子能量的增加而下降。此时轰击离子深人到靶材内部，将大部分能量损失在靶材体内，而不是消耗在靶表面。 3）入射离子入射角与溅射率的关系 入射角是离子入射方向与被溅射的靶材表面的法线之间的夹角。 图 2-29 给出了用 Ar+离子溅射时，几种金属的溅射率与人射角的关系。可以看出，随着入射角的增加溅射率逐渐增大，在 0-60o之间的相对溅射率基本上服从 1/ cosθ的规律，0o-60o时的 S 值约为垂直入射时的2倍。当入射角为60o-80o 时，溅射率最大；入射角再增加时，溅射率急剧减小，当θ等于 90o时，溅射率为0。 即对于不同的靶材和不同的入射离子而言，对应于最大溅射率的 S 值有一个最佳的入射角度。 4）靶材料与溅射率的关系 在相同条件下，同一种离子轰击不同元素的靶材料，得到不同的溅射率，靶材的溅射率呈现周期性变化，一般是随靶材元素原子序数增大而增大，如图 2-23 所示。由图可知：铜、银、金的溅射率较大；碳、硅、钛、铌、钽、钨等元素的溅射率较小；在用 400eV 的 Xe+离子轰击时，银的溅射率为最大，碳的为最小。 5）靶材温度与溅射率的关系 溅射率与靶材温度也紧密相关。 对于某一给定的材料，当靶材温度低于与靶材升华能相关的某一温度时，溅射率几乎不变。但是，超过此温度时，溅射率将急剧增加。 图2-31 是用 45keV 的离子（ Xe+）对几种靶材进行轰击时，所得溅射率与靶材温度的关系曲线。因此在溅射时应控制靶材温度，防止发生溅射率急剧增加的现象。 6）影响溅射率的其它因素 溅射率还与靶材的结构和结晶取向、表面形貌、溅射压强等因素有关。在溅射镀膜过程中，为了保证溅射薄膜的质量和提高薄膜的沉积速度，应当尽量降低工作气体的压力，提高靶材溅射率。 3 . 溅射原子的能量和速度 溅射原子—从靶材中溅射出来的原子。 溅射原子所具有的能量和速度也是描述溅射特性的重要参数。 溅射原子的能量与靶材料、入射离子的种类和能量以及溅射原子的方向性等都有关。 一般由蒸发源蒸发出来的原子的能量为 0.leV 左右。而在溅射中，由于溅射原子是与高能量入射离子交换能量而飞溅出来的，所以，溅射原子具有较大的动能，约为5eV-10eV。正因为如此，溅射法制膜才具有许多的优点。 不同种类入射离子轰击不同的靶材时，