薄膜制备技术溅射技术题材.ppt

磁控溅射和交流溅射都有增加电子对气体的电离效率的作用 * 靶电压越小，意味着电离效率越高 * 由于不均匀溅射，使靶的局部会有化合物生成，使靶表面电场强度不均匀，导致电弧。 * 由于离子的反应活性很高，所以溅射气体多少都会和靶及薄膜反应，所以应尽可能降低溅射气压 * 虚线为惰性气体的情况，从A到B的转变主要是金属靶材上生成化合物”The transition from state A to state B is triggered by compound formation on the metal target.” * a为一个反应气态分子形成的化合物分子的数目，如O2- 2ZnO；b为化合物分子中含金属原子的数目。最后一式中左边表示衬底上化合物的生成速率，后面表示金属沉积在衬底上将化合物覆盖的速率 * 沉积化合物时一般采用金属靶进行反应溅射，而不是采用化合物靶直接溅射，主要是因为高纯度的金属靶容易制作，而且高纯度的气体也很容易获得。 如果反应气体分压太高，溅射就无法进行，因为化合物靶的溅射比金属靶的溅射产额小很多。 * 类似离子镀 * 解决方案: 小角度范围直角入射（长距溅射）； 校准入射 1992提出概念 ； 在衬底和靶材之间加校准装置。 * 溅射镀膜时衬底温度升高很快，这导致薄膜的附着强度等提高 蒸发比溅射的速度约快一个数量级 * * 溅射时源在阴极，而离子镀中，源在阳极 蒸镀时高气压将造成气相成核 * * 存在对薄膜的溅射问题 主要用于工件表面做镀层 先起辉溅射清洗衬底，然后再蒸发 注意Pressure Barrier的作用 * 采用射频放电，气体分子容易激发且激发态稳定，因此气体压力在10-4Torr就能很好地维持放电。它由电离区域和离子加速区域两个系统组成，两个系统可分别控制。电离区域装有可以覆盖从蒸发源蒸发出的粒子的高频振荡线圈。射频电源产生振荡电场，利用电子倍增作用激发气体，因此在低压气体中在阴极暗区区域得到大范围放电，离子处于振荡状态，在线圈周围的离子密度增大，构成离子源。如把电子束蒸发源与该装置的射频线圈并用，即使不导入气体，也能使蒸发粒子电离，出现激发光，可以进行高真空离子镀。 * * 可减少电子逃逸 * 部分烧蚀 沉积速度可达100~10000埃/秒 * 离子束溅射沉积的特点:?对溅射靶材料的要求比较低、?成分可控性比较好?沉积原子的能量比较高；?薄膜均匀性比较差、镀膜效率比较低； * 离子镀中离子能量高，会容易产生缺陷，不适合于生长半导体薄膜，而离子束的离子能量可控，此外相同电荷离子间排斥，使沉积速度减慢。离化原子团束沉积中离子能量小，大量粒子间排斥小，所以沉积速度快。 * 离子束沉积对离子的控制更好 * 离子束沉积 ion beam deposition 法是利用离化的粒子作为蒸发物质，在比较低的基片温度下能形成具有优良特性的薄膜。一般分为两种： 非质量分离式离子束沉积和质量分离式离子束沉积。 1 . 非质量分离式离子束沉积它是利用离子源产生离子，将离子 如碳离子 直接引入沉积室，离子束在偏压电场作用下加速照射基片实施薄膜沉积。 2 . 质量分离式离子束沉积，这种方式是从离子源引出离子束后，只选择出单一种离子对基片进行照射。与非质量分离方式相比，混入的杂质少，适合于制取高纯度薄膜。 * 溅射镀膜时衬底温度升高很快，这导致薄膜的附着强度等提高 相比化学气相沉积，由于不需要衬底提供激活能，所以衬底温度低。对沉积材料和衬底材料没有限制。 * a表征电子与气体分子碰撞产生电离的过程,显然与气体密度即压强相关，g表征离子轰击阴极产生电离的过程 * 无穷级数求和 * 该条件的含义 * * 在自持放电能维持的条件下尽量减小压强 * 克鲁克斯暗区的宽度与电子平均自由程相关 并不一定都存在所有区域，但阴极位降区是存在的 Although the general structure of the discharge has been known for a long time the microscopic details of charge distributions, behavior, and interactions within these regions are not totally understood. 从阴极辉区出来的电子，在向阳极前进时能量继续增加，这时一方面使气体原子产生大量的电离，另一方面由于电子的激发截面随电子能量的增加而减少，发光减弱，因此形成了克鲁克斯暗区 又称阴极暗区 。 暗区相当于离子和电子从电场获取能量的加速区，而辉光区相当于不同粒子发生碰撞、复合、电离的区域。阴极辉光区主要是电子和离子复合的区域。负辉光区是电子与气体原子碰撞产生电离的区域。 * 阳离子富集区