电子技术复习题1).docVIP

电子技术总复习 一、填空 1．P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。 2．半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V，死区电压为（ 0.5 ）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V，死区电压为（ 0.1 ）V。 3．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V。 4．某稳压管的稳定电压UZ=5V，最大耗散功率PZM=100mW，则其最大稳电流IZM=（20）mA。 5．某稳压管的稳定电压UZ=6V，最大稳定电流IZM=20mA，则其最大耗散功率PZM=（120）mW。 6．晶体管有（集电 ）极、（ 基 ）极和（ 发射 ）极三个电极，分别用字母（ C ）、（ B ）和（E ）表示。 7．晶体管的输出特性曲线可分为（ 放大 ）区、（ 截止 ）区和（ 饱和 ）区。晶体管处于放大区的条件是发射结（ 正 ）向偏置，集电结（ 反 ）向偏置。 8．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝a﹞工作于（饱和）状态，晶体管﹝b﹞工作于（截止）状态，晶体管﹝c﹞工作于（放大）状态。 9．放大电路如图﹝a﹞所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示，图中Q为静态工作点。则晶体管β=（50），静态IC=（2mA），UCE=5V，电阻RB≈（250kΩ）正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是：（1条件，即必须反馈；（2条件，即。 设整流变压器副边电压有效值整流电压的平均，二极管承受的最大反相电压 16．有0出1，全1出0是（ 与非 ）门的逻辑特点。 17．将逻辑式化简后的结果为Y=（ A ）。 18．将十进制数（27）10转换为二进制数为（ 11011 ）。 19．在决定一件事情的条件中，全部条件满足结果才发生的逻辑关系称为（ 与门 ）逻辑。 20．在决定一件事情的条件中，只要有一个条件满足结果就发生的逻辑关系称为（ 或门 ）逻辑。 21．测得某逻辑电路的输入变量A、B和输出变量Y的波形如图，则Y。 。对半导体而言，其正确的说法是（ ）。 A．P型半导体由于多数载流子为空穴，所以它带正电； B．N型半导体由于多数载流子为自由电子，所以它带负电；C．P型半导体和N型半导体本身都不带电。 A．4V； B．-4V； C．-10V； 3．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ B ）。 A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止 C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止 4．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。 A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止 C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止 5．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，稳压管的正向压降忽略不计，则UO=（ A ）。 A．5V B．7V C．0V 6．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，正向压降忽略不计，则UO=（ A ）。 A．5V B．7V C．0V 7．NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位（ A ）。 A．VC＞VB＞VE VC＜VB＜VE C．VC＞VBVE 8．PNP型晶体管处于放大状态的条件是（ B ）。 A．VC＞VB＞VE VC＜VB＜VE C．VC＞VBVE 9．测得某放大电路某晶体管三个极的电为分别为-9V，-6.2V，-6V，则-6.2的那个为（ B ）极。 A．集电极； B．基极； C．发射极； ．对某电路中一个NPN晶体管进行测试，测得UBE＞0，UBC＜0，UCE＞0，则该管工作在（A ）。 A．放大区； B．饱和区； C．截止区。 16．采用差动放大电路的目的是为了（ B ）。 A．电压放大 B．抑制零漂 C．增强带负载能力 17．图2.1所示的差分放大电路的电压放大倍数Ad=为（ A ）。 A． B． C． D． 18．OTL功率放大电路的低频响应（ B ）。 A．比OCL功率放大电路好 B．比OCL功率放大电路差 C．与