E1(T1)保护方案.docVIP

E1(T1)浪涌防护方案 RJ45保护方案问与答 客户工程师问： 我现在采用的方法是如下图片所示,在SLVU2.8-4后面我还接了一个网络变压器,然后再是到我的后端网络控制芯片.我想问下我这种方案可行吗?能够做到防止共模以及差模的正负4KV吗?另外我对RJ45部分的地处理不是很清楚,是不是RJ45一直到网络变压器都全部掏空不铺地?还是铺成保护地? 谢谢! 雷卯工程师(留美博士，TI开发经理）答: 1.? 针对问题：是不是RJ45一直到网络变压器都全部掏空不铺地?还是铺成保护地??答： RJ45接口到變壓器(若是10/100) -- 有接地, 要鋪地.? 請參考附檔如下10/100圖.? 因此丁先生的方案是對的 -- 要鋪地. ??2.? 针对问题：我现在采用的方法是在SLVU2.8-4后面我还接了一个网络变压器,然后再是到我的后端网络控制芯片.我想问下我这种方案可行吗?能够做到防止共模以及差模的正负4KV吗? 答: 接SLVU2.8-4在變壓器前(若是10/100) -- 可行的.? +/-4kV應該可以防護住.? 因為主要有防雷管(但是截止電壓高, 恐怕殘壓也高).? 故需要低壓產品, 如SLVU2.8-4 or LC03CI壓住殘壓. ? RJ45接口浪涌防护方案 RJ45以太网接口防静电保护新方案，新用料UCLAMP2512T RJ45 以太网接口保护，大众普遍会想到用ESD型号：SLVU2.8-4(百兆网保护）,SLVU2.8-8（千兆网保护），LC03CI, LC3301CW, SRV05-4(此颗主要防静电，防浪涌能力弱些）。 现欧美品牌SEMTECH又推出新的元件型号UCLAMP2512T，此颗内部结构如下图： 解析（此颗是利用先进的封装工艺，把两颗双向保护二极管芯片，集成在一个封装产品中，方便客户使用） 此颗保护RJ45的方案图如下： 雷卯电子，已有替代SEMTECH的此颗产品，欢迎客商来电洽谈。 雷卯电子，品牌LEIDITECH，技术团队是留美博士且在美国TI工作多年。我们专业研发生产ESD，并能很好为客户解决ESD问题。 百兆网保护方案图 ESD静电保护元件 TVS瞬态电压抑制二极管 GGD玻璃气体放电管 GDT/SPG陶瓷气体放电管 TSS半导体放电管 MOV亚敏电阻 PTC自恢复保险丝 ? 方案1：GDT/GGD选择70-200V左右电压范围的管子，PTC起协调作用，ESD SLVU2.8-4,此方案依据标准ITU-T K.21采用两级防护理念，可过雷击浪涌10/700μs差模4KV测试，共模6KV测试 方案2：GDT/GGD选择70-250V左右的放电管，此方案依据标准ITU-T K.21，由于是室内，而又因为变压器的存在，所以此电路只做了共模防护，在变压器的插头上接一个放电管到地，需要注意的防雷管是要与匹配电阻和电容是共联关系，此方案可通过雷击浪涌10/700μs共模4KV的测试 方案3：ESD: SLVU2.8-4 ?IEC6100-4-5 ? 以太网（RJ45接口，百兆网，千兆网）保护方案 以太网（RJ45接口，百兆网，千兆网）保护方案： 保护方案1. 用LC03CI 两颗, 此结构可抵抗静电ESD：+-8KV/1000次， 可以抵抗浪涌15A（8/20US）； 保护方案2：用LC03CI 四颗，此结构可抵抗静电ESD：+-8KV/1000次， 可以抵抗浪涌30A（8/20US）； 保护方案3：用SRV05-4 一颗，此结构可抵抗静电ESD：+-8KV/1000次 TVS/ESD防静电保护方案，3.3V双向低电容，可承受浪涌电流30A .