第三章 半导体.pptVIP

* * 半导体 集成电路 学校：西安理工大学 院系：自动化学院电子工程系 专业：电子、微电 时间：秋季学期 * * 集成电阻器 集成电容器 * * 一般集成电路中使用的无源元件: 电阻、电容 常见的无源元件有 电阻、电容、 电感 * * w d L * * 常用集成电阻器 基区扩散电阻 发射区扩散电阻、埋层扩散电阻 基区沟道电阻、外延层电阻 离子注入电阻 多晶硅电阻、MOS电阻 * * 氧化膜 p n P型扩散层 （电阻） 基区扩散电阻 氧化膜 p n n P型扩散层 （电阻） 基区扩散电阻 （Rs=100-200 / ) Rs为基区扩散的薄层电阻 L、W为电阻器的长度和宽度 端头修正 拐角修正因子 横向扩散修正因子 薄层电阻值Rs的修正 小阻值电阻可采用胖短图形 一般阻值电阻可采用瘦长图形 对大阻值电阻可采用折叠图形 VCC L w * * * 氧化膜 p n P型扩散层 （电阻） 基区扩散电阻最小条宽的设计 设计规则决定最小条宽 工艺水平和精度 流经电阻的最大电流 取三者中的最大者 * 氧化膜 p 5~10% 如果LW, 可以忽略不记 * * * 如果工艺控制水平可使 由线宽引起的电阻相对误差η小于10%, * * * * 氧化膜 p n n 耗尽层 （反向偏压） 夹层电阻区域 夹层电阻 （RF=2-10K / ) n+ n N型扩散层 基区沟道电阻 * * Si SiO2 Leff L W 多晶硅电阻 * * 导电层 绝缘层 氧化膜 p N+ 平板型电容 双极集成电路中的MOS电容器 铝电极 N-epi tox=100nm时，CA=3.45e-4pF/um2 30pF需约0.1mm2 特点： 1. 单位面积电容值较小 2. 击穿电压BV较高（大于50V） 隔离槽 N＋ BV＝EBtox 绝缘层的击穿电场强度（5～10）×106V/cm * * * n 叠式结构电容 槽式结构电容 氧化膜 电容极板 金属引线 n DRAM中常用的电容 大电容结构 * * 一般材料纯度在99.9％已认为很高了，有0.1％的杂质不会影响物质的性质。而半导体材料不同，纯净的硅在室温下：?＝21400Ω·cm 如果在硅中掺入杂质磷原子，使硅的纯度仍保持为99.9999％。则其电阻率变为：?＝0.2Ω·cm。因此，可利用这一性质通过掺杂质的多少来控制硅的导电能力。 半导体的导电能力随所含的微量杂质而发生显著变化 * * N型半导体与P型半导体 N型半导体 P型半导体 施主杂质 受主杂质 * * 半导体材料的导电率 电子以速度Vd移动 则有: 由式(1)、式（2）可得 电子浓度 电子迁移率 要改变半导体 材料的电导率 改变n0 E * * 作 业 教科书P65-3.1 教科书P66-3.7(注：氧化层厚度改为0.1微米） 教科书P66-3.8 * *