第五章_扫描电子显微镜3素材.pptVIP

* * * * * * * * * * * * 解理断口 解理断裂是沿某特定的晶体学晶面产生的穿晶断裂。对于bcc的α-Fe来说，其解理面为（001）。从图中可以清楚的看到，由于相邻晶粒的位向不同（二晶粒的解理面不在同一个平面上，且不平行），因此解理裂纹从一个晶粒扩展到相邻晶粒内部时，在晶界处（过界时）开始形成河流花样（解理台阶）。 纤维增强复合材料断口 图为碳纤维增强陶瓷复合材料的断口照片。可以看出，断口上有很多纤维拔出。 由于纤维的强度高于基体，因此承载时基体先开裂，但纤维没有断裂，仍能承受载荷，随着载荷进一步增大，基体和纤维界面脱粘，直至载荷达到纤维断裂强度时，纤维断裂。 由于纤维断裂的位置不都在基体主裂纹平面上，所以断口上有大量露头的拔出纤维及纤维拔出后留下的孔洞。 材料变形与断裂动态原位观察 双相钢 复合材料 双相钢 图示为双相钢 拉伸断裂过程 的动态原位观 察结果。 裂纹萌生 裂纹扩展 可见，裂纹萌生于铁素体中，扩展过程中遇到马氏体受阻；加大载荷，马氏体前方的铁素体产生裂纹，而马氏体仍未断裂；继续加大载荷，马氏体才断裂，将裂纹连接起来向前扩展。 复合材料 图为Al3Ti/(Al-Ti)复合材料断裂过程的原位观 察结果。可以看出，裂纹遇到Al3Ti颗粒时受阻而转向，沿着颗粒与基体的界面扩展，有时颗粒也产生断裂。 5.6 原子序数衬度原理及其应用 原子序数衬度是利用对样品微区原子序数或化学成分变化敏感的物理信号作为调制信号得到的一种显示微区化学成分差别的像衬度。 背散射电子衬度原理及其应用 吸收电子的成像 5.6.1 背散射电子的衬度原理及应用 背散射电子用于： 形貌分析——来自样品表层几百nm范围 成分分析——产额与原子序数有关 晶体结构分析——基于通道花样衬度 1.背散射电子形貌衬度 用背散射电子信号进行形貌分析时，其分辨率要比二次电子低。 背散射电子的能量很高，它们以直线轨迹逸出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此在图像上显示出很强的衬度，以至失去细节的层次，不利于分析。 用二次电子信号作形貌分析时，可以在检测器收集栅上加一正电压（一般为250-500V），来吸引能量较低的二次电子，使它们以弧形路线进入检测器，这样在样品表面某些背向检测器或凹坑等部位上逸出的二次电子也能对成像有所贡献，图像层次增加，细节清楚。 二次电子和背散射电子的运动路线 凹坑样品的扫描电镜照片 凹坑底部清晰可见 2．背散射电子原子序数衬度原理 原子序数对背散射电子产额的影响 在原子序数Z小于40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。 背散射电子原子序数衬度原理 利用原子序数造成的衬度变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。样品中重元素区域相对于图像上是亮区，而轻元素区域则为暗区。 利用原子序数衬度分析晶界上或晶粒内部不同种类的析出相是十分有效的。 形貌衬度与成分衬度的分离 在二次电子像中有背反射电子的影响；在背反射电子像中有二次电子的影响。因此二次电子像的衬度，既与试样表面形貌有关又与试样成分有关。只有利用单纯的背反射电子，才能把两种衬度分开。 今年出现一种新型的背散射电子检测器，它是由对称的装在样品上方的一对硅半导体组成。就原子序数角度而论，两个检测器收到的由样品同一点产生的背散射电子信号强度是一样的，而就形貌的角度而论，则是互补的。 为消除形貌的影响，采用信号加法；为消除成分的影响，采用信号减法。 适用 a.试样表面光滑，成分不均匀 b.试样表面不光滑，成分均匀 c.试样表面不光滑，成分不均匀 信号加减处理示意 吸收电子的成像 吸收电子像的衬度与背反射电子像和二次电子像的衬度是互补的。已知：II=IS+IB+IA+IT II为入射电子流强度 IS为二次电子的电流强度 IB为背反射电子的电流强度 IA为吸收电流强度 IT为透射电子的电流强度 若试样较厚，即IT =0，则II=IS+IB+IA。因此： 背散射电子图像上的亮区在相应的吸收电子图像上必定是暗区。 图像对比 铁素体基体球墨铸铁拉伸断口的扫描电镜照片 a.背散射电子像，黑色团状物为石墨相 b.吸收电子像，白色团状物为石墨相 习题 电子束入射固体样品表面会激发哪些信号?它们有哪些特点和用途? 扫描电镜的分辨幸受哪些因素影响?用不同的信号成像时，其分辨率有何不同?所谓扫描电镜的分辨率是指用何种信号成像时的分辨率? 扫描电镜的成像原理与透射电镜有何不同? 二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处? 说明背散射电子像和吸收电子像的原子序数衬度形成原理．并举例说明在分析样品中元素分布的应用。 当电