第一章 半导体器件素材.ppt

模拟电子技术 一、目的与任务 模拟电子电路是一门专业基础课，通过本课程的学习使学生掌握模拟电子电路的基本概念基本理论和基本的学习方法。对半导体器件，集成运算放大器以及由它们构成的常用模拟电子线路有较全面和系统的认识，进一步培养学生的基本实验技能，工程计算能力和分析问题解决问题的能力为学生今后的工作及后续课程的学习打下基础。 二、教学内容及学时分配 三、考核与成绩评定 1、考试采用闭卷考试（120分钟）。 2、成绩评定：作业：10%，考勤：10%，实验：10%，期末考试：70%，其中期末考试中，基本概念占30～40%，典型的综合应用题占60～70%。 四、教科书、参考书 1、教科书：《模拟电子技术》江晓安 董秀峰编著 西安电子科技大学出版，2008 2、参考书： （1）夏春华《模拟电子技术》 中国水利水电出版社， 2003 （2）李雅轩《模拟电子技术》 西安电子科技大学出版社， 2000 （3）《模拟电子技术》 傅晓琳　吴培明编著 重庆大学出版社，2002 1.3.2 三极管的连接方式 一、共发射极接法 二、共集电极接法 三、共基极接法 正极引线 触丝 N型锗 支架 外壳 负极引线 点接触型二极管 二极管的符号 正极 负极 正极引线 二氧化硅保护层 P型区 负极引线 面接触型二极管 N型硅 PN结 PN结 1.2.3 半导体二极管 一、基本结构 二、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 三、主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 5. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例1：二极管半波整流 二极管的应用举例2： t t t ui uR uo R RL ui uR uo 1.2.4 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 一、结构 二、特性 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 三、稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 1.2.5 特殊二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 一、光电二极管 二、 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发