第一章静电场(一)素材.ppt

在d/2xd区域，电位函数 满足拉普拉斯方程： (显然函数 与变量y、z无关，故相应偏导数项为零。) * 图1-25 例1-12图 例1-12平行板电容器的极板间距离为d，所加电压U0为已知，一半空间有体电荷均匀分布，电荷密度为ρ，介质的电荷容率均为ε0。忽略边缘效应，试求电场分布。 解 建立直角坐标系如图所示。由于不考虑边缘效应，电场分布仅与x坐标有关。根据电荷分布情况要分作两个区域来考虑。在0xd/2区域，电位函数 满足泊松方程： * 分别解得 再由给定边界条件确定上面解式中的各待定常数。 题设中给出两极板的电压为U0，因此可设 两者所解得电位函数相差一常数K,但电场强度值相同)。 在 的两侧因电位函数满足不同微分方程，所以把它取作分界面。但从介质分界面考虑，它只是ε1=ε2=ε0的特例。 把边界条件代入解式即得 * 因此在 处电位函数应满足介质分界面上的连接条件，有 对于等二式需要注意到，虽然 区域有体电荷ρ的分布，但 上没有面电荷σ的分布。利用上述条件得 电位函数 联立求解得 例 1.12.平板电容器的极板间有两层介质，第一层介质厚度d1=0.2cm，介电常数ε1= ε0，第二层介质的厚度d2=0.8cm，介电常数ε2= 2ε0，极板的尺寸远大于d1、d2，如图所示。设两极板间的电压为U0=110V，求两极板间电位及电场强度的分布。 解： 场域空间有两种不同介质，要分成两个区城来研究。令介电常数为?1的区城中的电位为φ1，介电常数为?2的区域中的电位为φ2 ，它们分别满足拉普拉斯方程。由于极板的尺寸远大于d1、d2 ，则电位仅为横坐标坐标的函数，建立直角坐标系 相应的定解条件 边值方程 对拉普拉斯方程积分两次，得 本题给定的边界条件为 因此 根据 得 * 当微小柱体之高Δh→0，仅只上底有 线通过，其通量为 ，而扁平圆柱体侧面及下底的 通量为零，故有 亦即 (1-38) 其中方向 为导体表面的外法线方向。 式(1-38) 说明，导体表面任一点的电位移矢量 的法线分量等于该点的自由电荷面密度σ。 * 图1-15 在导体与介质交界面上Et的边界条件 在导体与介质交界处作一微小矩形 ，使两长边dl1、dl2,分别跨于介质与导体之中，且dl1=dl2=dl，若令其两长边无限紧贴导体表面(此时矩形的短边趋于零)，沿此微小矩形 ，取场强E的环路积分，有 上式说明，导体表面任一点电场强度 的切线分量恒为零；导体表面为等位面，电场强度与导体表面垂直。 3. 的边界条件 * 4.小结： 导体表面的边界条件为 事实上，上述边界条件是导体静电平衡的表现。 (1-41) * 图1-16 高斯定理运用于不同媒质交界处 二.不同介质交界面的边界条件 1. 的边界条件 先作扁平圆柱体，其上、下底面积相等，dS1＝dS2＝dS，分别位于ε1及ε2的电介质中，当上、下底无限紧靠时，圆柱体的高度趋于零。若在介质交界面有自由电荷面密度σ存在，运用高斯定理于此圆柱体表面有 (1-42) (1-43) (1-44) * 当边界面存在自由电荷面密度σ时，边界两侧无限靠近的两点 的法线分量不连续，其差值应为该点处的自由电荷面密度σ。 图1-17 交界面电荷不为零， 线不连续 若介质交界面无自由面电荷，则边界两侧无限靠近的两点仅有 的法线分量连续。但 线总是连续的。 图1-18 两不同媒质交界面电荷为零， 线连续 * 图1-19 环路定理用于不同媒质交界处 作微小矩形积分路径 ，其长边相等， dl1=dl2=dl ，并分别位于ε1及ε2的电介质中，矩形短边趋于零。运用E的环路定理，有 此式说明，在不同介质交界面两侧无限紧靠的两点，仅有其电场强度E的切线分量连续。 边界面无限靠近的两点的电位相等( )与无限靠近的两点的电场强度切线分量相等是互为因果关系的，两者具有等效关系。 2. E的边界条件 (1-46) (1-47) (1-45) * 图1-20 与两不同媒质交界面平行， 线连续 ?图1-21 与两不同媒质交界面不平行， 线不连续 除电场方向与介质交界面平行外，一般说来电场强度 在介质交界面上是不连续的。因为在介质交界面附有束缚电