GMR和电子自旋.docVIP

磁电阻效应与自旋电子学 本论文整理by：吴.建.得 MobQQ 138-1652-3001第.七.一.〇.研.究.所 1 前言物质磁性和磁场会影响物质的力、声、热、电、光等性质，而物质的这些性质也会影响到磁性，我们将这些统称为磁效应，而物质的磁电阻特性就是其中之一。对于物质磁电阻特性的研究由来已久，早在20世纪40年代人们就发现了磁电阻效应。所谓磁电阻（亦称磁致电阻，以下称磁电阻）效应是指磁性材料在磁场作用下，其电阻发生变化的效应,通常用电阻变化率Δr/r来描述。经研究发现，一般金属导体的Δr/r很小，只有约10 1 前言 物质磁性和磁场会影响物质的力、声、热、电、光等性质，而物质的这些性质也会影响到磁性，我们将这些统称为磁效应，而物质的磁电阻特性就是其中之一。对于物质磁电阻特性的研究由来已久，早在20世纪40年代人们就发现了磁电阻效应。所谓磁电阻（亦称磁致电阻，以下称磁电阻）效应是指磁性材料在磁场作用下，其电阻发生变化的效应,通常用电阻变化率Δr/r来描述。经研究发现，一般金属导体的Δr/r很小，只有约10-5%；对于磁性金属或合金材料（例如坡莫合金），Δr/r可达（3~5）%，但只在当代，其研究范围和应用才有了新的巨大发展。从正常磁电阻（OMR）、顺行磁电阻（PMR）、异性磁电阻（AMR）到巨磁电阻（GMR）、超巨磁电阻又称庞磁电阻（CMR）、隧道结（穿隧）磁电阻（TMR）以及新近发现的特异磁电阻（EMR）效应的研发与应用，推动着电子信息特别是计算机存储技术的迅速发展。 2 磁电阻效应的应用特性 磁电阻效应可以使物质的电阻在不同磁场中产生相应变化，从而导致输出电流的明显差异。利用电子不同自旋状态所产生的磁场性质的差异，可以通过电流大小的变化表达出来，而电脑则可以把不同的电流强度将其识别为“0”和“1”的数值状态。在过去十多年中，已经发现了三种技术上可行的磁电阻效应：即“巨磁电阻”（Giant Magneto-Resistive，GMR）、“超巨磁电阻”（Colossal Magneto-Resistance，CMR）和“穿隧磁电阻”（Tunneling Magneto-Resistive，TMR）效应。它们都具有三层结构：上下两层为引发电子自旋、产生磁场作用的磁性层；中间为产生电阻变化的非磁性层。然而产生不同类型的磁电阻的非磁性层所使用的材料是不同的：GMR使用的是金属铜，CMR使用的是稀土锰氧化物，TMR则是使用氧化铝。图1就是GMR与TMR的结构示意图。 图1 GMR与TMR的结示意构图 产生巨磁电阻效应（GMR）的磁性多层膜最简单的结构为铁磁性膜（几个奈米厚）/非磁性金属膜（约1或2个奈米厚）/铁磁性膜（几个奈米厚），称作三明治结构；产生隧穿磁电阻效应（TMR）的磁隧道结最简单的结构是铁磁性膜（几个奈米厚）/绝缘膜（约1个奈米厚）/铁磁性膜（几个奈米厚）。 不久前《科学美国人》发表了著名实验物理学家塞林（Stuart A. Solin）的一篇报告，宣布他的研究小组发现了一种新型磁电阻效应，并将它命名为“Extraordinary Magneto-Resistance，EMR），可译作 “特异磁电阻”，为在未来几年内再次推动计算机存储技术的革命提供了可能。 在以上这些磁电阻效应中目前最具实用价值与潜力的是GMR、TMR效应，而CMR、 EMR效应也显示了巨大的潜在应用与市场。 2.1 GMR、CMR、TMR与EMR效应 1）巨磁电阻效应（GMR效应） 1986年德国的Grunberg和C.F.Majkrgak等人发现了Y/Gd、Y/Dy和Fe/Cr/Fe多层膜中的层间耦合现象。1988年法国的M.N.Baibich等人首次在纳米级的Fe/Cr多层膜中发现其Δr/r在4.2K低温下可达50%以上，相对于传统的磁电阻效应大一个数量级以上，为此提出了巨磁电阻（Giant Magnetoresistanc，GMR）的概念，在学术界引起了极大反响。由此与之相关的研究工作相继展开，陆续研制出Fe/Cu、Fe/Ag、Fe/Al、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag、Co/Au……等具有显著GMR效应的层间耦合多层膜。此后也陆续发现多种多层膜材料，按其结构可分为具有层间耦合特性的多层膜（例如Fe/Cr）、自旋阀多层膜（例如FeMn/FeNi/Cu/FeNi）、颗粒型多层膜（例如Fe-Co）和钙钛矿氧化物型多层膜（例如AMnO3）等结构；其中自旋阀（spin valve）多层膜又分为简单型和对称型或分为钉扎（pinning）和非钉扎型两类结构。图2是GMR的原理示意图。 这种低和高电阻态可对应于0和1两种信息记录状态。 由于GMR效应极具理论和应用价值，在1994年第二届IUPAP（International union o