硅料清洗.docVIP

1、目的 指导硅料清洗生产操作。 2、适用范围 用于硅料清洗生产。 3、职责 3.1 单晶生产经理负责整个硅料清洗生产工作。 3.2 本作业规程由制造部工艺人员制定及修改。 3.3 生产人员严格按照工艺规程作业。 3.4 质量控制和技术人员负责按文件要求对工艺进行检查、监督。 4、定义 无 5、内容 5.1 原理与目的 硅料的清洗，其目的是使硅料表面清洁无杂质污染，从而保证硅料纯度，保证整个电池生产中硅料的质量，避免污染物影响产品质量。 根据污染物产生的原因, 大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。 (1) 颗粒: 硅粉、氮化硅粉、灰尘、细砂。 (2) 有机物杂质: 它在硅料上以多种方式存在, 如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物质通常都会对加工进程带来不良影响。 (3) 金属污染物: 它在硅料上以范德华引力、共价键以及电子转移等三种表面形式存在。对硅锭的少子寿命产生很大的影响，少子寿命降低。 (4)自然氧化膜：硅材料表面在自然环境中，表面的氧化。 在传统的RCA清洗法中SC－1主要用于清洗硅片表面的粒子，SC-2主要用于清洗硅片表面的金属沾污，而DHF用于去除氧化层，SPM用于去除硅片表面的有机沾污。 SC-1清洗 SC-1清洗液由NH4OH、H2O2和H2O组成，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜（SiO2），呈亲水性，硅表面和粒子之间可用清洗液浸透。由于硅表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅表面的同时，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。 在规模生产中，一般采用HF+HNO3 作为腐蚀液与硅材料发生化学反应。为了降低剥离层厚度，对于反应温度、时间的控制非常关键。对于块状料，由于其形状不规则且处理过程互相堆叠，增加了清洗及干燥的难度；对腐蚀槽溶液降温能有效控制反应速度、降低材料损失并可以获得更好的表面质量。通过QDR、阶梯溢流、加热超声的依次水洗，可以将残留酸液去除。 Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 3Si+4HNO3=3SiO2+4NO ↑ +2H2O SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO ↑+8H2O 当HF：HNO3=1：5时及比值在其附近时，硅的腐蚀速度最大。 氢氟酸含量比较高时，硝酸是动力主要试剂。硝酸浓度的稍微减小能很快降低反应速度。即使氢氟酸浓度有少量变化，仍有足够的量去溶解硅表面的氧化膜。反应速度变化不大。这时可认为面一旦被硝酸氧化，SiO2完全被氢氟酸溶解，反应速度决定于 HNO3氧化硅速度。 当硝酸过量时，在高硝酸区域，在这个区域 HF 酸在动力学上起着重要作用。氢氟酸少量的变化能明显改变硅片的腐蚀速度。反应过程中硅片表面始终覆盖着氧化膜，即使硝酸浓度有少量变化，仍有足量的硝酸氧化硅表面，硝酸含量的减小只能使氧化膜变得纤细。硅片腐蚀速度决定于 HF 酸与氧化膜的接触速率即氢氟酸从溶液中扩散到硅片表面的速率决定。高硝酸区域，温度的影响相对较小。 5.2 工艺操作流程 5.2.1 作业准备 （1）进入净化室时必须穿好工作衣、工作鞋，戴工作帽，清洗操作时必须佩戴防酸碱手套和口罩。 （2）用专用毛巾清洗工作台，保证工作台面的清洁度。 （3）打开去离子水和氮气总开关，去离子水空放5分钟去处管道里的死水（如果没有间断使用可以不用放空死水），然后将各槽水注到标定水位由槽上水位线和水位监控器标定。 （4）准备整理当天所用的原材料，领取化学品原料，按照当天的生产产量要求领取相应的酒精， HCL，HF，专人负责，放置在车间的规定区域。（一般原料应由上一班人领好准备） （5）预热升温。 （6）在各槽按照要求开始配液。 5.2.2 操作流程 （1）免洗原生多晶硅清洗 1.1 拆箱 1.2 装料 1.3 超声清洗 1.4 浸泡 1.5 烘干 1.6 包装 1.7 入库 （2）非免洗原生多晶硅清洗 2.1 拆箱 2.2 装料 2.3 酸洗 2.4 漂洗 2.5 超声清洗 2.6 浸洗 2.7 烘干 2.8 包装 2.9 入库 （3）回收料清洗 3.1 预清洗 3.2 装料 3.3 酸洗 3.4 漂洗 3.5 超声清洗 3.6 浸洗 3.7 烘干 3.8 包装 3.9 入库 （4）提纯单晶清洗 4.1 预清洗 4.2 砸碎 4.3 装料 4.4 酸洗 4.5 漂洗 4.6 超声清洗 4.7 浸洗 4.8 烘干 4.9 包装 4.10 入库 （5）提纯硅棒清洗 5.1 预清洗 5.2 砸碎 5.3 装料 5.4 酸洗 5.5 漂洗 5.6 超声清洗 5.7 浸洗 5.8 烘干 5.9 包装 5.10 入库 （6）