光电子技术基础 课后答案.docVIP

  • 68
  • 0
  • 约6.54千字
  • 约 8页
  • 2017-03-23 发布于湖北
  • 举报
《光电子技术》参考答案 第三章 1.一纵向运用的 KD*P电光调制器,长为 2cm,折射率 n 2.5,工作频率为 1000kHz。试求此 时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。 解:渡越时间为: L nL ? 2.5 2 10? ? c ? ? 2 m ?1.67?10?10s ? ? d c / n 3?10 m / s 8 在本题中光在晶体中的渡越引起的相位延迟量为: ? ? ? 2? ?10 6Hz?1.67?10?10 ?1.05?10?3 ??1 m d 对相位的影响在千分之一级别。 3.为了降低电光调制器的半波电压,采用 4块 z切割的 KD * P晶体连接 光路串联,电路并联 成 纵向串联式结构。试问: 1 为了使 4块晶体的电光效应逐块叠加,各晶体 x和 y轴取向应如何? 2 若 ? ? 0.628?m,n0 ?1.51,? ? 63 23.6 10 m/V,计算其半波电压,并与单块晶体调制器比较之.。 ? ?12 答: ⑴用与 x轴或 y轴成 45夹角(为 45°-z切割)晶体,横向电光调制,沿 z轴方向加电场,通 光方向垂直于 z轴,形成 光路串联,电路并联 的纵向串联式结构。为消除双折射效应,采用“组合 调制器”的结构予以补偿,将两块尺寸、性能完全相同的晶体的光轴互成 90串联排列,即一块晶

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档