2.2半导体二极管.pptVIP

* 2.2 半导体二极管 2.2.1 二极管的结构 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的主要参数 2.2.4 二极管模型 * 图2.2.1 半导体二极管的结构及符号 (a) 点接触型 (b) 面接触型 (c) 平面型 (d) 电路符号 (a) (b) (d) (c) 2.2.1 二极管的结构 2.2 半导体二极管 * 半导体二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 图 1 二极管的结构示意图 * (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小， 用于大功率整流电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于工作频大电流整流电路。 (b)面接触型 图 1 二极管的结构示意图 (c)平面型 * 图2.2.2 硅二极管的2CP10的伏安特性 图2.2.3 锗二极管2AP15的伏安特性 正向特性、反向特性 、反向击穿特性 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2 半导体二极管 * 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 半导体二极管的伏安特性曲线如图 2、3 所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示: * (1) 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 * (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 * 图2.2.4 温度对二极管特性曲线的影响示意图 温度对二极管特性的影响 * 1. 最大整流电流IF 2. 最高反向工作电压VRM 3. 反向电流IR 4. 极间电容Cd 5. 最高工作频率fM 2.2.3 二极管的主要参数 2.2 半导体二极管 图2.2.3 锗二极管2AP15的伏安特性 * 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： * 表2.2.1 几种国产半导体二极管参数 （1）2AP1~7检波二极管（点接触型锗管，在电子设备中作检波和小电流整流用） 参 数 型 号 最大整流电流 最高反向工作电压(峰值) 反向击穿电压(反向电流为400?A) 正向电流(正向电压为1V) 反向电流(反向电压分别为10, 100V) 最高工作频率 极间 电容 mA V V mA ?A MHz pF 2AP1 16 20 ≥40 ≥2.5 ≤250 150 ≤1 2AP7 12 100 ≥150 ≥5.0 ≤250 150 ≤1 * 参 数 型 号 最大整流电 流 最高反向 工作电压(峰值) 最高反向工作电压下的反向电流(125℃) 正向压降 (平均值) (25℃) 最高工作频率 A V ?A V KHz 2CZ52 0.1 25, 50, 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1000 ≤1 3 2CZ54 0.5 1200, 1400, 1600, 1800, 2000, 2200, 1000 ≤1 3 2CZ57 5 2400, 2600, 2800, 3000 1000 ≤0.8 3 表2.2.1 几种国产半导体二极管参数 （2）2CZ52~57系列整流二极管，用于电子设备的整流电路中。 * 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 。 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升