模电BJT管及功效管知识.pptVIP

RB +VCC C4 RE2 vo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 vi RB C1 RE2 T1 vs RS C3 * RB +VCC C4 RE2 vo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 vi RB C1 RE2 T1 vs RS C3 * RB +VCC C4 RE2 vo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 vi RB C1 RE2 T1 vs RS C3 RL=5 k?时： Ri2=173 k? ， Av2=-185，Av3=0.99 RL=1 k?时： Ri2=76 k? ， Av2=-174 ，Av3=0.97 * RL=5 k?时： Ri2=173 k? ， Av2=-185，Av3=0.99 RL=1 k?时： Ri2=76 k? ， Av2=-174 ，Av3=0.97 ，RS=20k?， RL=5 k?时： RL=1 k?时： * ①、自偏压电路 (适用于耗尽型MOSFET) RG为栅极泄放电阻，泄放栅极感生电荷，通常取0.1～10MW。 RS为源极偏置电阻，作用类似于共射电路的Re，可以稳定电路的静态工作点Q 。 由于IG＝0，所以RG上无直流压降，VG＝0。 由于耗尽型FET在VGS＝0时存在导电沟道，所以电路有漏极电流 ID 。 RL RG ? + ? + C1 C2 vi +VDD RD vo RS 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 * VGS=VG ?VS = ?IDRS VDS=VDD?ID(RD+ RS ) 求下图所示电路的静态工作点 VGS、ID 、VDS 先变换为直流通路,再由直流通路的输入和输出KVL方程 和FET的电流方程联合求解： RG +VDD RD RS IG ID ? + VDS VGS RL RG ? + ? + C1 C2 vi +VDD RD vo RS 直流通路 * ②假设工作在可变电阻区，验证是否 ③假设工作在线性放大区(恒流区, 饱和区)，验证是否满足 VDS VGS -VP VDS VGS - VP VGS=VG ?VS = ?IDRS VDS=VDD?ID(RD+ RS ) 由上面方程组可以看出：由于电流方程是平方律的关系, 会产生对应的两组解；因此必须根据其解倒推出对应的工作状态以舍弃一组解。 ①须满足VGS VP ，否则工作在截止区 如果是则假定正确，如果否，则假定错误 如果是则假定正确，如果否，则假定错误 * 例. 如图所示:已知VDD=18V，RS=1kW，RD=3kW，RG=3MW，耗尽型MOS管的VP= -5 V，IDSS=10 mA。试估算电路的静态工作点。 解： 不合题意舍去 RG +VDD RD RS IG ID ? + VDS VGS RL RG ? + ? + C1 C2 vi +VDD RD vo RS 工作在饱和区 * ②. 混合偏压电路 混合偏压电路利用电阻分压和源极电阻压降调节偏置电压大小，该电路适用于所有类型的FET。 栅极电位由电阻分压确定，源极电阻产生的电压和栅极电位共同产生栅源偏压： 直流通路 D S G RD RS CS R1 RG ? + vi ? + vo R2 +VDD C1 C2 RL + VDS - RD RS R1 RG R2 +VDD ID VGS + - * 利用FET转移特性和分压比计算静态漏极电流 (增强型MOSFET) (耗尽型MOSFET 和JFET) + VDS - RD RS R1 RG R2 +VDD ID VS + - VG 根据FET类型选择平方律公式 * 例, CS电路如下图，图中场效应管为N沟道MOSFET。已知场效应管的VP= -4V，IDSS=1mA，估算FET的静态工作点VGS、ID、VDS (Q点)。 RD RS CS R1 RG ? + vi ? + vo R2 +VDD C1 C2 RL 10k 160k 1M 40k +16V 8k 1M 解：①画直流通路 1M + VDS - RD RS R1 RG R2 +VDD ID VS + - VG 8k 160k 40k 10k +16V * ②计算静态工作点 1M + VDS - RD RS R1 RG R2 +VDD ID VS + - VG 8k 160k 40k 10k +16V VGS=3.2-8ID； 代入 VP= -4V, IDSS=1mA, 得 ID1=1.52mA, ID2=0.535mA。 因为ID1=1.52mA IDSS,不合题意舍去, 故 ID= ID2= 0.535mA；VGS= - 1