3.2 晶闸管.pptVIP

* 第3章 功率电子器件 第六讲 * 本节主要内容 3.2 半控型器件 3.2.1 双向晶闸管 3.2.2 逆导晶闸管 3.2.3 光控晶闸管 * 3.2.1 双向晶闸管 双向晶闸管 Bidirectional Controlled Thyristor Triode AC Switch—TRIAC 1. 结构特点 结构：为五层三端中心门极结构。 * 3.2.1 双向晶闸管 特点： 1 三端、四结、五层 2 交流器件，Ⅰ、 Ⅲ 象限均可导通 3 结型门极 4 四种触发方式 Ⅲ _ Ⅲ ＋ I_ I＋ 相对于T2的极性 + － － + G T1 * 3.2.1 双向晶闸管 双向晶闸管有四个pn结；采用结型门极结构，门极接触下面不仅有p型层，同时还有n型层，门极的极性可正可负，以便开通两个反并联的晶闸管；它是一种交流元件，其伏安特性是对称的。 在第一象限和第三象限都能导通，同时门极可正可负，故有四种触发方式，通常称为I+、I-、Ⅲ+、Ⅲ-触发。 2. BCT的四种触发方式及原理 * 3.2.1 双向晶闸管 I＋触发： T1端相对T2端为正，门极G相对T2为正 器件在I象限导通 门极p2区注入的电流由n2区下进入T2端右侧短路区，横向压降使n2区在门极附近发生电子注入，p1n1p2n2通。 从门极注入而流向T2左侧的电流对晶闸管的导通无效，J4、J5结不起作用。 ★ I+触发原理与普通晶闸管的触发原理完全相同。 * 3.2.1 双向晶闸管 I_触发：T1端相对T2端为正，门极G相对T2为负 器件在I象限导通 门极电流从T2流向门极，在n3下面产生的横向压降大于J4结扩散电位时，n3向p2发射电子，使小晶闸管p1n1p2n3导通。 根据场引入原理，T1端的高电位引入到门极下，结果使n2发射区受到一很强的正偏压，p1n1p2n2晶闸管迅速导通。 ★ 导通过程类似放大门极原理 * 3.2.1 双向晶闸管 Ⅲ＋触发：T1端相对T2端为负，门极G相对T2为正 器件在Ⅲ象限导通 门极电流从G流向T2端，当一部分电流在p2区产生的横向压降大于J3结电位时，使n2向p2发射电子。 电子达到n1区、降低了n1区的电位，从而引起门极下的p2区向n1区发射空穴，T1端的n4向门极正下方的p1区发射电子； 电子达到n1区使J2结更正偏，p2区左侧向n1区注入空穴，最终导致p2n1p1n4导通。 * 3.2.1 双向晶闸管 Ⅲ－触发：T1端相对T2端为负，门极G相对T2为负 器件在Ⅲ象限导通 门极电流从T2经左侧p2区流出门极G，首先使n3向p2区发射电子并达到n1区，使n1区电位下降，从而使J2结更加正偏，导致p2区向n1注入空穴，最终使p2n1p1n4导通。 * 3.2.1 双向晶闸管 3. BCT的额定电流 双向晶闸管工作在交流回路中，因而不用平均值而用有效值耒表征其额定电流。 普通晶闸管在正弦半波下使用，其峰值电流为平均值的π倍，而一个双向晶闸管在全波下使用时其峰值为有效值的 倍，即一个双向晶闸管可以代替两个具有下述额定值的普通晶闸管。 式中IKP AV 为普通晶闸管的额定值电流、IKS RMS 为双向晶闸管的有效值电流。如一个50A的双向晶闸管可以代替两个额定正向平均电流为22A的普通晶闸管。 * 3.2.2 逆导晶闸管 逆导晶闸管 Reverse Conducting Thyristor 单片集成的思路. 该器件正向具有与普通晶闸管完全相同的特性，反向可以流过大的电流，称这一新的器件为反向导通晶闸管，即RCT。 斩波与逆变应用中，通常把晶闸管与一续流二极管反并联 * 3.2.2 逆导晶闸管 1.RCT 的结构、特点 结构： 左侧为一pnpn晶闸管，右侧是一二极管，中间是pnp隔离区； 阳极和阴极均分布有短路点； 采用中心门极结构，二极管一般放在中心区域。 RCT的基本结构 * 3.2.2 逆导晶闸管 RCT 的符号、伏安特性 伏安特性： 其正向与晶闸管相同； 反向与二极管的正向相同。 * 3.2.2 逆导晶闸管 1 阳极采用短路结构，正向转折电压比普通晶闸管的高。 在正向阻断状态下，二极管处于反向，只有当J2结的电压上升到雪崩电压VB时，J2结被击穿，逆导晶闸管才由断态进入通态，因此有: RCT的特点： * 3.2.2 逆导晶闸管 2 电流容量大。 在同等耐压下，基区宽度可以大幅度减薄，因而可以获得大的电流容量。 3 易于提高开关速度。 在同等电流下，由于Wn大幅度减薄，存贮电荷减少，toff可减小；由于阳极短路，反向漏电流对器件的影响减小，因此掺金量可以加大，掺金温度可提高40℃，易于实现快速化。 * 3.2.2 逆导晶闸管 4 高温特