模块教学二(晶体三极管和场效).pptVIP

　场效晶体管 场效晶体管：是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。 　　特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。 * 结型场效晶体管 N 沟道结型场效晶体管 P 沟道结型场效晶体管 一、结构和符号 　　N 沟道结型场效晶体管的结构、符号如图所示；P 沟道结型场效晶体管如图所示。 　　特点：由两个 PN 结和一个导电沟道所组成。三个电极分别为源极 S、漏极 D 和栅极 G。漏极和源极具有互换性。 工作条件：两个 PN 结加反向电压。 * 二、工作原理 以 N 沟道结型场效晶体管为例，原理电路如图所示。 动画　结型场效晶体管结构 * 工作原理如下： 　　VDS 0； VGS 0 。在漏源电压 VDS 不变条件下，改变栅源电压 VGS ，通过 PN 结的变化，控制沟道宽窄，即沟道电阻的大小，从而控制漏极电流 ID。 结论： 1．结型场效晶体管是一个电压控制电流的电压控制型器件。 2．所以输入电阻很大。一般可达 107 ~ 108 ?。 * 三、结型场效晶体管的特性曲线和跨导 1．转移特性曲线 结型场效晶体管的转移特性曲线 　　反映栅源电压 VGS 对漏极电流 ID 的控制作用。如图所示，若漏源电压一定： 　　当栅源电压 VGS 0 时，漏极电流 ID IDSS ，IDSS 称为饱和漏极电流； 　　当栅源电压 VGS 向负值方向变化时，漏极电流 ID 逐渐减小； 　　当栅源电压 VGS VP 时，漏极电流 ID 0，VP 称为夹断电压。 * 2．输出特性曲线 结型场效晶体管的输出特性曲线 　　表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间的关系。如图所示。 1 可调电阻区 图中Ⅰ区 VGS 不变时，ID 随 VDS 作线性变化，漏源间呈现电阻性。 　　栅源电压 VGS 越负，输出特性越陡，漏源间的电阻越大。 　　结论：在Ⅰ区中，场效晶体管可看作一个受栅源电压控制的可变电阻。　 * 二、场效晶体管的特点 场效晶体管与普通三极管比较表 项 目 器 件 名 称 晶体三极管 场 效 应 管 极型特点 双 极 型 单 极 型 控制方式 电 流 控 制 电 压 控 制 类 型 PNP 型、NPN 型 N 沟道、P 沟道 放大参数 ? 50 ~ 200 gm 1 000 ~ 5 000 μA/V 输入电阻 102 ~ 104 W 107 ~ 1015 W 噪 声 较 大 较 小 热稳定性 差 好 抗辐射能力 差 强 制造工艺 较 复 杂 简单、成本低 * 工程应用——场效晶体管使用常识 结形场效晶体管的栅源电压必须使 PN 结反偏，不能接反。因结型场效晶体管的源极及漏极通常制成对称的，所以原极和漏极可以调换使用。 绝缘栅场效晶体管中，有的产品将彻底引出 有四个管脚 ，此时源极和漏极可以互换使用，但有的产品在制造时已把源极和衬底连接在一起，这种管子源极和漏极就不能调换使用。 绝缘栅场效晶体管由于输入电阻很高，如果在管脚开路状态下保存 ，会使管子还未使用时就已击穿或性能下降。因此，无论管子使用与否，都应将三个电极短路或用铝箔包好。结型场效晶体管可以在开路状态下保存。 * 基极电源 7.1 共发射极电压放大器 双电源共发射极单管放大电路 EC C2 + RC RB + C1 3DG6 IC IB IE ＋ － EB ＋ RL 输入回路 输出回路 集电极电阻，约为几至几十欧 NPN型管 耦合电容 耦合电容 基极电阻，约几十至几百千欧 集电极电源，约为几至几十伏 负载电阻 电路中发射极是输入、输出回路的公共支路，而且放大的是电压信号，因此称之为共发射极 电压放大器。 电路各部分作用： 晶体管T：放大器的核心部件，在电路中起电流放大作用； 电源EC：为放大电路提供能量和保证晶体管工作在放大状态； 电源EB和电阻RB：使管子发射结处于正向偏置，并提供适当的基极电流IB； 耦合电容C1和C2：一般为几微法至几十微法，利用其通交隔直作用，既隔离了放大器与信号源、负载之间的直流干扰，又保证了交流信号的畅通； 电阻RC：将集电极的电流变化变换成集电极的电压变化，以实现电压放大作用。 第2页 * 单电源共发射极单管放大电路 +UCC C2 + RC RB + C1 RL 实用中，一般都采用单电源供电，而且把发射极的公共端作为“地”点，并按习惯画法把集电极电源以电位形式标在图中。 放大电路的直流通道 晶体管放大电路实际上是一个交、直流共存的电路。当交流信号ui 0时，电路所处的工作状态称为“静态”， 静态时等效电路称为它的直流通道。 +UCC RC RB UCE IC IE IB UBE 直流通道中耦合电容相当于开路，电路中的各电压、电流都是直流量。电路中仅有直