模拟电子技术及实践1.pptVIP

绪 论 半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 1.2 现代电子技术的相关职业 电子技术的应用，以信息科学技术为中心的包括计算机技术、生物基因工程、光电子技术、军事电子技术、生物电子学、新型材料、新型能源、海洋开发工程技术等高新技术群的兴起，已经引起人类从生产到生活各个方面巨大变革。 从电子玩具到家用电器，从数控机床到机器人，从邮电管理到卫星通信，从资源调查到天气预报，从水路交通到航空航天，从雷达警戒到卫星侦察，从火炮自动控制到导弹精确制导…可以说电子技术几乎渗透到国民经济的各个领域，在经济建设中起到了举足轻重的作用。 毕业初期阶段适合的岗位: 企业或研究所的工程师助理、绘图员、生产车间的产品调试员、维修员、检验员、销售部门的业务员、售后服务维修人员等。 （一）、模拟电子技术基础课的特点 （二）如何学习这门课程 1.4 常用电子元器件的基本特性 §1.4.1 半导体二极管 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 PN结加正向电压动画演示 PN结加反向电压动画演示 四、二极管的组成 五、半导体二极管伏安特性曲线 2.反向特性 （1）反向截止区OC段。反向电压开始增加时，反向电流略有增加，随后在一定范围内不随反向电压增加而增大，通常称为反向饱和电流。 （2）反向击穿区CD段 当反向电压增大到超过某个值时（图中C点），反向电流急剧加大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压叫反向击穿电压UBR，其特点是：反向电流变化很大，相对应的反向电压变化却很小。 硅二极管和锗二极管的伏安特性之间有一定的差异： 1 锗二极管的死区较小，正向电阻也小，导通电压低（约0.2V）。但受温度影响大，反向电流也较大。击穿以后，锗管两端电压变化较大，无稳压特性。 （2）硅二极管的死区较大，正向电阻也较大，导通电压较高（约0.7V）。但受温度影响小，反向电流也很小。击穿后，硅管两端电压基本不变，有稳压作用。 （1）最大整流电流IF： IF是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。 （2）最高反向工作电压UR： UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。 （3）反向电流IR： IR是二极管未击穿时的反向电流。其值越小表明二极管的质量越好。 （4）最高工作频率fM： fM是二极管工作的最高上限频率。 （1）整流二极管 （3）稳压二极管 （7）开关二极管 开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、 检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。 （8）肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而工作电流可达几千安。 肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。 八、晶体二极管的极性与好坏的判别 晶体二极管的正、负极可按下列方法来判别：1．? 看外壳上的符号标记 通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，标有三角形箭头的一端为正极，另一端为负极。2．? 看外壳上标记的色点 在点接触二极管的外壳上，通常标有色点（白色或红色）。除少数二极管（如2AP9、2AP10等）外，一般标记色点的这端为正极。 3．? 透过玻璃看触针 对于点接触型玻璃外壳二极管，如果标记已磨掉，则可将外壳上的漆层（黑色或白色）轻轻刮掉一点，透过玻璃看那头是金属触针，那头是N型锗片。有金属触针的那头就是正极。 4. 看外壳上的色圈 现在常用的表示方法是在二极管的外壳上标有一个色圈，通常此色圈靠近的一端为负极，另一端为正极。 5． 用万用表测量? 用万用表R*100或R*1K档，任意测量二极管的两根引线，如果量出的电阻只有几百欧姆（正向电阻），则黑表笔（既万用表内电池正极）所接引线为正极，红表笔（既万用表内电源负极）所接引线为负极。 §1.4.2 晶体三极管 1 晶体管的结构和符号 2 晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 晶体管的特性 二、半导体三极管的种类 晶体三极管的种类很多，分类方法也有