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芯片制备中的光刻技术 广东工业大学机电工程学院 魏 昕 我国集成电路设计与制造水平 集成电路设计与制造的主要流程框架 集成电路芯片的显微照片 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 图形转换：光刻 图形转换：光刻 在主流微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺。 圆片光学曝光简单系统：顶上的光源发出通过掩膜的光。圆片表面涂上一薄光刻胶（光敏材料）。 光学光刻分两部分：曝光工具在圆片表面产生掩膜图形；化学过程——一旦辐照的图形被光刻胶吸收和图形被显影时。 曝光光源（工具）：可见光、紫外光（UV）、深紫外光（DUV) 或极紫外光（EUV） 图形转换：光刻 图形转换：光刻 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。 图形转换：光刻 几种常见的光刻方法 接触式光刻：曝光时掩膜压在涂覆光刻胶的圆片上。分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近