无机材料物理性能第一章详解.ppt

从图可以看出，当温度或应力较低时，稳态蠕变阶段延长；当应力或温度增加时稳定态蠕变阶段缩短，甚至不出现。外力对应变速率的影响很大，可表示为 K为常数。n为2－20。 高温蠕变的理论现在还不很完善，下面介绍几个理论: 1.3.1高温蠕变的位错运动理论 根据这种理论，无机材料中晶相的位错在低温下受到障碍难以发生运动，在高温下院子热运动加剧，可以使位错从障碍中解放出来，引起蠕变。由前面讨论的式（1.36）－（1.38）可知，当温度增加时，位错运动的速度加快。除位错产生滑移外，位错的攀移也能产生宏观上的变形。攀移是位错的运动的另一种形式，图1.18为位错攀移示意图。 通过吸收空位，位错可攀移到滑移面以外，绕过障碍物，使滑移面移位。攀移是通过扩散进行的。由于晶体中存在过饱和的空位，多余的半片原子可以向空位扩散。如果整个半片原子扩散走了，位错就移出晶体之外。热运动有助于使位错从障碍中解放出来，并使位错运动加速。 当受阻碍较小，容易运动的位错解放出来完成蠕变后，蠕变速率就会降低。这就解释了蠕变减速阶段的特点。如果继续增加温度或延长时间，受阻碍较大的位错也能进一步解放出来，引起最后的加速蠕变阶段。常温高应力下的金属蠕变，多半由于位错运动所致。 1.3.2扩散蠕变理论 这种理论认为高温下的蠕变现象和晶体中的扩散现象类似，并且把蠕变过程看成是外力作用方向扩散的一种形式。当试件受拉时，受拉晶界的空位浓度增加。 式中Ω为空位体积，c0为平衡空位浓度。在受压晶界上，空位浓度c压减小 这样，受拉晶界与受压晶界产生了空位浓度差，受拉晶界的空位向受压晶界迁移，同时原子朝相反方向扩散，导致沿受拉方向伸长，发生形变，如图1.19所示。 这种扩散可以是体扩散，沿晶粒内部进行；也可以是晶界扩散，沿晶粒间界进行。 Nabarro和Herring计算了沿晶粒内部扩散的稳态蠕变速率： 式中，Dv：通过晶粒内部的体扩散率；d：晶粒直径； k：波尔兹曼常数；T：绝对温度。 如果扩散沿晶界进行，根据Coble的计算，蠕变率为 式中， δ ：晶界宽度； Db ：晶界扩散系数。 上两式与扩散传质的烧结公式十分相似。 在晶粒内部，各点的应力状态（或者说最大剪应力方向）不同，不可能产生集中的位错塞积，而是产生高温下短程的位错运动的迭加。每次位错运动均选择最优的滑移系统。所以在显微尺度上，看不出有规律的滑移线组，而是呈现宏观塑性变形。 1.3.3晶界蠕变理论 多晶陶瓷中存在着大量晶界，当晶界位向差大时，可以把晶界看成是非晶体，因此在温度较高时，晶界粘度迅速下降，外力导致晶界粘滞流动，发生蠕变。 ?1.3.4 影响蠕变的因素 从上面的分析可知，影响蠕变的因素很多，主要有： ?? (1) 温度 前面已经提到温度升高蠕变增大。这是由于温度升高，位错运动和晶界错动加快，扩散系数增大，这些都对蠕变有所贡献。图1.20为SiAlON及Si3N4的稳态蠕变率与温度的关系。 ??(2)? 应力 从图1.17及公式可知，蠕变随应力增加而增大。若对材料施加压应力，则增加另外蠕变的阻力。 ?(3) 显微结构的影响 蠕变是结构敏感的性能。气孔、晶粒尺寸、玻璃相等都是对蠕变有很大影响。气孔的影响可以从图1.21看出，随着气孔率的增加，蠕变率也增大。这是因为气孔减少了抵抗蠕变的有效截面积。此外，当晶界粘性流动起主要作用时，气孔的空余体积可以容纳晶粒所发生的形变。 关于晶粒尺寸的影响，可以从公式看出，晶粒愈小，蠕变率愈大。这是因为晶粒愈小，晶界的比例大大增加，晶界扩散及晶界流动的贡献也就增大。从表1.3的数据看出，尖晶石的晶粒尺寸为2~5μm时，ε’＝26.3×10－5；当晶粒尺寸为1~3mm时， ε’＝0.1×10－5 ，蠕变率减小很多。单晶没有晶界，因此，抗蠕变的性能比多晶材料好。 玻璃相对蠕变的影响也很大。通常多晶陶瓷存在玻璃相。当温度升高时，玻璃相的粘度降低，因而变形速率增大，亦即蠕变率增大。从表1.3看出，非晶态玻璃的蠕变率比结晶态要大得多。玻璃相对蠕变的影响还取决于玻璃相对晶相的湿润程度，这可用图1.22说明。如果玻璃相不湿润晶相，如图1.22（a），则在晶界处为晶粒与晶粒结合，抵抗蠕变的性能就好；如果玻璃相完全湿润晶相，如图1.22（b）,玻璃相穿入晶界，将晶粒包围，形成抗蠕变最弱的结构。其他湿润程度处在以上二者之间。 从高温耐火材料中消除玻璃相是必要的，但实践上难以做到。当然也可以控制温度，改变玻璃组成等办法来降低玻璃的湿润特性，但这样一来，又会