4-1半导体二极管门电路辩析.ppt

4.1 引言 定义：实现基本逻辑运算和组合逻辑运算的单元电路。 分类： 按照功能：与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等 按照工艺：TTL门电路和CMOS门电路 第4章 门电路 重点： 标准TTL门的结构、原理 标准TTL门的特性曲线、参数 OC门、三态门 CMOS门电路。 1. 正逻辑和负逻辑 正逻辑:高电平用逻辑常量1表示，低电平用0表示。 负逻辑:高电平用逻辑常量0表示，低电平用1表示。 高低电平与正负逻辑 4.2 半导体二极管门电路 2. 半导体二极管的开关特性 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 输入： VI=VIH D截止，VO=VOH=VCC VI=VIL D导通，VO=VOL=0.7V 静态特性： 动态特性： 2. 半导体二极管的开关特性 双极型三极管开关电路的静态特性 双极型三极管的开关特性 从二极管已知，PN结存在电容效应。 在饱和与截止两个状态之间转换时，iC的变化将滞后于VI，则VO的变化也滞后于VI。 半导体二极管与门 半导体二极管或门 半导体三极管非门 若VCC=5V，VEE=-8V，RC=1kΩ，R1=3.3k Ω，R2=10k Ω，β=20，UCE(sat)=0.1V，VIH=5V，VIL=0V，试说明该反相器参数是否合理。 * *