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555单稳电路波形图 tw 输出脉冲宽度： 第6章 存储器和可编程逻辑器件 6..1 只读存储器 6.2 随机存取存储器 6.3 可编程逻辑器件 本章要求 1.了解ROM, RAM, PROM, EPROM和ROM 的结构和工作原理及功能的区别。 第6章 存储器和可编程逻辑器件 2.了解常用可编程逻辑器件在实际中的应用。 3. 会用可编程逻辑器件构成简单的逻辑函数 半导体存储器分类： 按功能 只读存储器（ROM） 随机存取存储器（RAM） 按元件 双极型存储器:速度快，功耗大。 MOS型存储器：速度较慢，功耗小， 集成度高。 6..1 只读存储器 6.1.1 ROM的结构框图 只读存储器（ROM） ，它存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息。 图6.1.1 ROM的结构框图 存储输出 读出电路 存储矩阵 地 址 译 码 器 N×M 位线 （数据线） 字线（选择线） 地址输入 AN-1 A1 A0 ... ... W0 W1 WnN-1 DM-1 D0 D1 ... ... 表示存 储容量 ROM主要结构 存储矩阵 地址译码器 1.存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。存储器是以字为单位进行存储的。图6.1.1中有N×M个存储单元。 2.地址译码器：为了存取的方便，给每组存储单元以确定的标号，这个标号称为地址。图6.1.1中，W0~WN-1称为字单元的地址选择线，简称字线；地址译码器根据输入的代码从W0~WN-1条字线中选择一条字线，确定与地址代码相对应的一组存储单元位置。被选中的一组存储单元中的各位数码经位线D0~DM-1传送到数据输出端。 6.1.2 ROM的工作原理 图6.1.2二极管 ROM电路 1 1 A0 A1 字线 位线 读出电路 地址译码器 存储矩阵 存储输出 地址输入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 存“1” 存“0” (1) 存储矩阵 6.1.2 ROM的工作原理 1. 二极管构成的ROM的工作原理 图中的存储矩阵有四条字线和四条位线。共有十六个交叉点，每个交叉点都可看作一个存储单元。 交叉点处接有二极管时，相当于存“1”； 交叉点处没有接二极管时，相当于存“0”； 如：字线W0与位线有四个交叉点，其中与位线D0和D2交叉处接有二极管。当选中W0（为高电平）字线时，两个二极管导通，使位线D0和D2为“1”，这相当于接有二极管的交叉点存“1”。 单稳态触发器: 输出端只有一个稳定状态, 另一个状态则是暂稳态。加入触发信号后，它可以由稳定状态转入暂稳态，经过一定时间以后，它又会自动返回原来的稳定状态。 稳定状态 稳定状态 暂稳态 5.1.2 由门电路构成的单稳态触发器 由外部触发后，由稳定状态变为暂稳态 经延时电路延时后，又自动返回稳定状态 一、由门电路构成的积分型单稳态触发器 0 t ui u1 uA u2 0 t 0 t 0 t t1 当ui=0时 u1 u2 R C 1 ui A ui：外部触发脉冲 当ui上跳时， u1下跳 因uA不能突变，所以u2下跳 0 t ui u1 uA u2 0 t 0 t 0 t t1 u1下跳后，C放电，uA下降 UT TW TW=1.1RC u1 u2 R C 1 ui A 当uA=UT时，u2上跳，输出一个宽度为TW的负脉冲 当ui下跳时，u1上跳，C再充电， uA上升为高电平。 uA 0 t UT u2 0 t 0 t ui u1 0 t t1 t3 缺点： 若C的放电太慢，在 t1- t3期间, uAUT , 失去对 u2 低电平宽度的控制作用 u1 u2 R C 1 ui A u2将随着ui变为0而变为1 u1 u2 R C 1 ui A ui , 1 u3 ( a ) ( b ) 改进型电路 u1 u2 R C 1 ui A u1 uA u2 0 t 0 t 0 t ui 0 t UT 0 t u’i t1 t1 改进的积分型单稳触发器工作原理 特点: 输出脉冲宽度不受输入脉冲宽度的影响 u1 u2 R C 1 ui A ui , 1 u3 二、由门电路构成的微分型单稳态触发器(略) 5.2 集成单稳态触发器74LS123 74LS123 内部包括两个独立的单稳。单稳输出脉冲的宽度，主要由外接的定时电阻( RT )和定时电容( CT )决定。单稳的翻转时刻决定于 A、B、CLR 三个输入信号。 A B Q Q CLR RT/CT CT A B Q Q CLR RT/CT CT 1 2 5.2.1 集成单稳态触发器74LS123的功能 触发 74LS123功