PVD_CHN(薄膜气相沉积)技巧.pptVIP

薄膜的物理气相沉积（PVD） 薄膜的应用 半导体器件 电路连接 电极 光电子器件 半导体激光器 光学镀膜 PVD简介 所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体 生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底 蒸汽在衬底表明上凝结，形成薄膜 PVD的特性 “物理吸附”: 约束能 0.434 eV/atom (10 cal/mol) 比外延生长速率快很多 衬底与薄膜材料不一定要有联系 厚度范围: 典型薄膜：~nm ─ ~103 nm 也可以生长更厚的膜 薄膜分类 超薄膜: ~10nm 薄膜: 50nm─1mm 中间范围: 1mm ─ ~10mm 厚膜: ~10mm ─ ~100mm 单晶薄膜 多晶薄膜 无序薄膜 薄膜中涉及的研究课题 生长机制和技术 薄膜成分 缺陷与位错 表面形态 薄膜中的扩散现象 界面的性质 应力引起的应变 物理性质（电学、光学、机械等） 两种常见的薄膜结构 单层膜 周期结构多层膜 PVD的物理原理 PVD所需实验条件 高真空 (HV) 高纯材料 清洁和光滑的衬底表面 提供能量的电源 平均自由程、压强和真空室尺寸的关系 残留气体对薄膜生长的影响 薄膜表面 外延生长层 应力的效果 生长模式 薄膜生长中服从的物理原理 表面自由能 位错能 应变能 Ripening Coalescence 临界厚度 PVD的通用实验配置 热蒸发 热蒸发 常用蒸发源 电子束蒸发 用高能聚焦的电子束熔解并蒸发材料 材料置于冷却的坩埚内 只有小块区域被电子束轰击 - 坩埚内部形成一个虚的“坩埚” - “skulling” 不与坩埚材料交叉污染，清洁。 电子束蒸发 常用蒸发材料形态 脉冲激光沉积 用高能聚焦激光束轰击靶材 蒸发只发生在光斑周围的局部区域 蒸发材料被直接从固体转化为等离子体 能轰击出来大尺寸的颗粒 光束渗透深度小 ~ 100 A, 蒸发只发生在靶材表面 脉冲激光沉积 Pulsed Laser Deposition (PLD) System 磁控溅射 DC ( 导电材料 ) RF ( 绝缘介质材料 ) 反应 (氧化物、氮化物) 或不反应 ( 金属 ) 溅射靶材 溅射过程的物理模型 溅射产值 靶材材料的结构和成分 入射离子束的参数 实验环境的几何分布 择优溅射 靶材中的不同成分的溅射产值不一样 不同成分的出射速度不一样 薄膜的化学配比与靶材会有差别 溅射离子的运动学过程 非平衡过程 各向异性过程 cosmq 分布 不均匀厚度 附加磁场的优点 限制溅射离子的轨道 增加离子在气体中停留的时间 增强等离子体和电离过程 减少从靶材到衬底路程中的碰撞 高磁场附近的产值比较高 磁控溅射中的重要参数 溅射电流 ( 生长速率 ) 压强 ( 溅射粒子的最高能量 ) 压强与靶材-衬底之间的距离 (多孔性、质地、晶体性） 反应气体混合比 ( 化学配比 ) 衬底温度 ( 晶体性、密度和均匀性 ) 衬底偏压 ( 薄膜结构和化学配比 ) + 真空 固体 溅射粒子（离子或中性粒子） 注入离子 渗透深度 入射离子 依赖下面几个因素: 靶材 衬底 * * “物理气相沉积” 通常指满足下面三个步骤的一类薄膜生长技术: Substrate A Substrate A B A B 块状材料 (靶材) 薄膜 物质输运 能量输运 能量 衬底 1 Torr = 133 Pa 1 Pa =7.5 mTorr 生长材料的分子 残留气体分子 残留气体在衬底上形成一单原子层所需时间 3 days 10-11 6 hr 10-10 35 min 10-9 3 min 10-8 20 s 10-7 2 s 10-6 0.2 s 10-5 0.02 s 10-4 Time Pressure (Torr) Substrate 平台 Kink 单原子层阶梯 阶梯原子 平台空位 Adatom 有应变的外延层 弛豫后的外延层 缺失面 失配位错 衬底 Film 衬底 薄膜 衬底 黏附薄膜 团簇 Frank-van der Merve Mode Layer by Layer ( 2D ) 衬底 衬底 衬底 Stranski-Krastanov Mode Layer Plus Island Growth ( 2D-3D ) Volmer-Weber Mode Island Growth ( 3D ) 总能量必须最小化 Substrate Clusters Flux Substrate 大鱼吃小鱼！ Clusters Substrate Substrate Bigger cluster 薄膜 衬底 位错芯 应变场 h Definition: The thickness at which the total energy is minimized