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确定晶面指数的方法:
1) 定坐标:原点不能过所求晶面;
2) 求截距:确定晶面在三个坐标轴上 的截距;
3) 变倒数:将所求截距变为倒数;
4) 化为最小整数:hkl;
5) 加圆括号(hkl)即为晶面指数。
确定晶向指数的方法:
1)定坐标(原点过所求直线);
2)过原点引直线,平行于所求晶向、
3)求该直线上任一点的坐标值;
4)化为最小整数:uvw;
5)加方括号[uvw]即为晶向指数。
体心立方晶格:BCC 面心立方晶格:FCC
纯金属的晶体结构:体心立方BCC密排面:{110},密排方向:(111)
面心立方FCC密排面:{111},密排方向:(110)
配位数:指晶格中任一原子周围所具有的最近且等距的原子数。
例如BCC致密度:
体心立方晶格间隙:
八面体间隙位于晶胞中每个面的中心和每个棱的中心,数量为6。间隙半径0.067a
四面体间隙由两个体心原子和两个顶角原子所围成,数量为12。间隙半径0.126a
面心立方晶格间隙:
八面体间隙位于晶胞体中心和每个棱边的中点,由6个面心原子所围成, 间隙数量为4个。
四面体间隙由一个顶点原子和三个面心原子围成,间隙数量为8个。
可见,面心立方八面体间隙比体心立方中间隙半径较大的四面体间隙半径还大,因此面心立方结构的γ-Fe的溶碳量大大超过体心立方结构的α-Fe。
D=D0exp(-Q/RT)
式中:R为气体常数;Q为扩散激活能;T为绝对温度。
影响扩散因素:1、温度:温度越高,原子热激活能量越大,越易发生迁移,扩散系数越大
2、固溶体类型:间隙扩散激活能比置换扩散激活能小得多。
3、晶体结构:结构不同、溶解限度不同,影响扩散速率。
4、晶体缺陷:若以QLQB和QS分别表示晶内、晶界和表面扩散激活能; DL 、DB 和DS分别表示晶内、晶界和表面的扩散系数,则一般规律是: QLQBQS,故各种缺陷处的扩散激活能均比晶内扩散激活能小,加快了原子的扩散。
5、化学成分:具体情况具体分析。
6、应力的作用:应力越大,原子扩散的驱动力越大,原子扩散的速度越大。
过冷现象:金属的Tn总低于Tm这种现象,叫过冷现象。
过冷度:金属的实际结晶温度(Tn)与理论结晶温度(Tm)之差,称为过冷度,用ΔT
表示。ΔT = Tm — Tn
均匀形核:金属晶核从过冷液相中以结构起伏为基础直接涌现自发形成,这种方式为均匀
行核。
分析ΔG — r 曲线:
1)r r* 的晶胚:瞬时出现,又瞬时消失,不能长大。
2)r r* 的晶胚:一旦出现,不再消失,能长大成为晶核。
当 r r0ΔG 0 为稳定晶核。
当 r r* ~ r0 之间时,长大使ΔG↓但ΔG 0,为亚稳定晶核。
3)r = r* 的晶胚:长大与消失的趋势相等,这种晶胚称为临界晶核。r* 为临界晶核半径。
可见,在过冷液体中,不是所有的晶胚都能成为稳定晶核,
求r*的大小(用求最大值法)
∵ r* → ΔG* ∴ 有
ΔG = 4/3πr3ΔGV + 4πr2σ
求导 4πr2ΔGV +8πrσ= 0 4πr*2ΔGV + 8πr*σ = 0
临界形核功:形成临界晶核所需要的能量称为临界形核功。数 值上等于ΔG* 。
将 代入
(A* 为临界晶核的表面积)
临界形核功意义:形成临界晶核时,体积自由能ΔGVL-S↓只能补偿2/3表面能ΔGA↑,还有1/3的表面能必须由系统的能量起伏来提供。
纯金属的生长形态:L中存在正的温度梯度,以平面方式生长。
L中存在负的温度梯度,以枝晶方式生长。
晶粒大小的控制方法:(1)提高ΔT。此法只对小型或薄壁铸件有效。
(2)变质处理。此法用于大型铸件。
(3)振动、搅拌。用于薄壁形状较复杂的铸件。
二元相图的几何规律(P65)
1.相图中的线代表发生相转变的温度和平衡相的成分,且平衡相成分沿线随温度变化。
2.两个单相区之间一定有一个两相区,两个两相区之间一定有一个单相区或三相水平线。即相邻相区的相数差为1(点接触除外),称为相区接触法则。
3.二元相图中,三相平衡为一条水平线, 表示为恒温反应。点→平衡相成分。
4.两相区与单相区的分界线与三相等温线相交
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