纳米科学与技术-纳米科学的基本理论探究.pptVIP

纳米微粒的四大效应 Different samples of CdSe nanocrystals in toluene solution 可以进行全波段发光。颜色由禁带宽度决定。 电子能态密度与尺度的关系为：随着尺度的降低，准连续能带消失，在量子点出现完全分离的能级。 2－D 量子阱 1－D 量子线 0－D 量子点 3－D 大块材料 **** 2、纳米材料在电子输运过程中的小尺寸效应： 纳米颗粒存在大量的晶界，几乎使大量电子运动局限在小颗粒范围，对电子散射非常强。 （1）晶界原子排列越混乱，晶界厚度越大，对电子散射能力就越强。 （2）界面具有高能垒导致纳米相材料的电阻升高。 3、传统集成电路小型化的技术障碍 （1） 强电场问题 由于尺寸小，在短距离内加偏置电压，器件会产生强电场，载流子在强电场作用下碰撞后，使大量电子具有高能量，出现载流子热化现象，会引起“雪崩击穿”，电流增大，器件破坏。 （2） 热损耗问题 器件尺度减小和集成电路密度提高，散热问题会越来越重。 （3） 体材料特性消失和小尺度半导体掺杂非均匀性 MOSFET栅长为50 nm，宽度为100 nm为例，如果沟道中电子数目为2? 1012/cm2，在沟道中平均大约有100个电子， 如果存在单个杂质涨落，受载流子相位干涉控制，电导的变化将不是1%，而是e2/h，大约为40?S。如果器件的电导为1S，涨落可达40%。 造成器件稳定性变差。 解决方法：一、完全不掺杂；二、使掺杂原子形成规则阵列。 3、传统集成电路小型化的技术障碍 3、传统集成电路小型化的技术障碍 （4） 耗尽区减小 当器件处于“关”的状态，由于耗尽区太薄，不能阻止从源极到漏极的电子量子力学隧穿。 （5） 氧化层厚度减小和非均匀性 当氧化层薄到一定尺度就不能阻止电子从栅极漏出到达漏极。 氧化层不均匀时，通过薄的地方漏电流会很大。总的漏电流达到一定程度就会影响器件的功能。 3、传统集成电路小型化的技术障碍 （6） 载流子输运形式改变 欧姆定律：扩散输运（晶格、杂质、缺陷）； 当尺寸小于电子平均自由程，电子输运过程中可能不会受到散射而通过样品，称为弹道(ballistic)输运。看上去，电阻应为0； 实验表明：纳米材料的电导不会无限大，而是趋于一个极限值。 电阻来源于不同材料的界面或不同几何区域的边界。 在界面上，由于界面势垒的存在，一部分电子被反射回来，另一部分以隧穿方式穿过势垒。 4、小尺寸效应的主要影响 （1）金属纳米相材料的电阻增大与临界尺寸现象 （电子平均自由程） （2）宽频带强吸收性质 （光波波长） （3）激子增强吸收现象 （激子半径） （4）磁有序态向磁无序态的转变（超顺磁性） （磁各向异性能） （5）超导相向正常相的转变 （超导相干长度） （6）磁性纳米颗粒的高矫顽力 （单畴临界尺寸） **** 光学 当黄金被细分到小于光波波长的尺寸时，即失去了原有的富贵光泽而呈黑色。事实上，所有的金属在超微颗粒状态都呈现为黑色。尺寸越小，颜色愈黑，银白色的铂(白金)变成铂黑，金属铬变成铬黑。 由此可见，金属超微颗粒对光的反射率很低，通常可低于l %，大约几微米的厚度就能完全消光。 利用这个特性可以作为高效率的光热、光电等转换材料，可以高效率地将太阳能转变为热能、电能，还可能应用与红外敏感元件和红外隐身技术。 热学 固态物质在其形态为大尺寸时，其熔点是固定的； 超细微化后却发现其熔点将显著降低，当颗粒小于10 nm 量级时尤为显著。 例如，块状金的常规熔点为1064 ℃，当颗粒尺寸减小到10 nm尺寸时，则降低27℃， 2 nm尺寸时的熔点仅为327℃左右。 4.4 库伦堵塞与量子隧道效应 1. 库仑堵塞效应 当对一个小体系充电时，由公式 可知， 球体半径R越小，充相同电量的电，所需作功越大。 充一个电子所做的功为： 对比久保理论中取出或放入一个电子的能量~e2/d，二者结果相似。 1、 库伦堵塞效应 上式可知：颗粒尺寸减小，充一个电子所做的功越大。 当导体尺度进入纳米尺度时，充放电过程很难进行，或充、放电过程变得不能连续进行，即体系变得电荷量子化。这个能量称为库仑堵塞能。 换句话说，库仑堵塞能是前一个电子对后一个电子的库仑排斥能。 这就导致了对一个小体系的充放电过程，电子不能集体运输，而是一个一个的单电子传输。 由于库仑堵塞效应的存在，电流随电压的上升不再是直线上升(欧姆定律)，而是在I—V曲线上呈现锯齿形状的台阶。(见下图) 通常把小体系这种单电子运输行为，称为库仑堵塞