电子电路第五章(简)精编.pptVIP

充分的复习 掌握课本中的所有主要概念 复习课本中的所有例题 了解自己易出错的地方（作业） * 模拟电子技术基础 引言 电子技术的基本任务可称之为 —信号的产生、信号的传输、信号的处理 —对电子器件、电子电路、电子系统的性能的研究 按照功能和构成原理的不同，电子电路可分为模拟电路和数字电路两大类。本书着重讨论模拟电路的基本概念、基本原理、基本分析方法及基本应用。 模拟信号 模拟信号的特点是，在时间上和幅值上均是连续的，在一定动态范围内可能取任意值。 从宏观上看，我们周围的世界大多数物理量都是时间连续、数值连续的变量。 处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。 第五章 半导体二极管及应用电路 介绍半导体的有关基础知识 阐述PN结的原理及主要特性 讨论以PN结为基本结构的双极型晶体二极管、工作原理 整流电路简介，稳压二极管的工作原理及应用电路。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 锗原子示意图 硅原子示意图 5.1.1 本征半导体 概念：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 本征半导体结构示意图 +4表示除去价电子后的原子 共价键共 用电子对 5.1.2.1 N型半导体 概念：在本征半导体中掺入高价元素（施主杂质）使 自由电子浓度大大高于空穴浓度的半导体。 图5-4 N型半导体 掺入磷元素 5.1.2.2 P型半导体 概念：在本征半导体中掺入低价元素（受主杂质）使 空穴浓度大大高于自由电子浓度的半导体。 图5-5 P型半导体 掺入硼元素 ☆5.2 PN结与晶体二极管 在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 5.2.1 PN结的形成及其动态平衡过程和接触电位差 P型区到N型区的过渡带两边的自由电子和空穴浓度相差很大，在浓度差下形成扩散运动，P区的空穴（多子）向N区扩散，N区的自由电子（多子）向P区扩散; 在过渡区域产生强烈的复合作用使自由电子和空穴基本消失，在过渡带中产生一个空间电荷区（耗尽区），扩散运动使过渡带内失去了电中性，产生电场，称为内建电场，内建电场由N区指向P区阻碍多子的扩散运动，却促进过渡带中少子的漂移运动，漂移运动中和过渡区中的电荷从而削弱内建电场，随着扩散运动和漂移运动的进行，最后达到一个平衡状态。 P型半导体区 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体区 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内建电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽 内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层。 PN结的形成 5.2.2 PN结和晶体二极管的伏安特性与小信号等效模型 5.2.2.1 单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P区加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。 概念：正向偏置形成电流较大，反向偏置形成电流很小。 5.2.2.2 伏安特性 伏安特性指流过二极管的电流与二极管两端电压之间的关系式或曲线。 二极管理想伏安特性可用PN结的电流方程来表示： 式中：iD 表示流过二极管的电流； vD 表示二极管两端的电压，正向偏置为正； Is 表示反向饱和电流（硅：10-9～10-15 A） VT ——温度的电压当量。 常温下（T=300°K） 二极管的伏安特性曲线： U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压VBR 电击穿（可逆） 热击穿（不可逆） 例1 写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 解： UO1≈1.3V， UO2＝0， UO3≈－1.3V， UO4≈2V， UO5≈1.3V， UO6≈－2V。 DA DB R=9KΩ R1=1KΩ R2=1KΩ UF A B 例 2 求下列几种情况下的UF及各元件中的电流。 （1）UA=10V；UB=0V （2）UA=6V；UB=5.8V （3）UA=UB=5V 二极管视为理想二极管 设DA导通，则UF = 则，DB截止所以： UF = 9V IDA=10 / 10K=1mA I