第四章硅和硅片制备介绍.ppt

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 集成电路工艺 第四章 硅和硅片制备 内容提要 4.1 晶体结构 4.2 半导体级硅 4.3 单晶硅生长 4.4 硅中的晶体缺陷 4.5 硅片制备 4.6 质量测量 4.7 外延 4.1 晶体结构 物质的形态： 无定型（非晶）Amorphous——没有重复结构 多晶 Polycrystalline——晶胞不是有规律地排列 单晶 Single crystal (monocrystal)——在长程范围内原子都在三维空间中保持有序且重复的结构；晶胞在三维方向上整齐地重复排列 Amorphous Structure Polycrystalline Structure Single Crystal Structure 硅晶格的元胞 晶面的密勒指数 4.2 半导体级硅 西门子工艺 用来做芯片的高纯硅称为半导体级硅(semiconductor-grade silicon, SGS)或电子级硅。 西门子工艺： 1.用碳加热硅石来制备冶金级硅 SiC(s)+SiO2(s) Si(l)+SIO(g)+CO(g) 2.将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷 Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g)＋加热 3.通过三氯硅烷和氢气反应来生成SGS SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g) 4.3 单晶硅生长 把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。 直拉法(Czochralski) 区熔法 液体掩盖直拉法 直拉法（CZ法） 特点：工艺成熟，能较好地拉制低位错、大直径的硅单晶。 缺点：难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染。 区熔法 主要用来生长低氧含量的晶体，但不能生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度。这种工艺生长的单晶主要使用在高功率的晶闸管和整流器上 两种方法的比较 直拉法更普遍，更便宜，可加工大晶圆尺寸（如300mm），材料可重复使用 区熔法可制备更纯的单晶硅（因为没坩锅），但成本高，可制备的晶圆尺寸小 （约150mm)。主要用于功率器件。 液体掩盖直拉法 此方法主要用来生长砷化镓晶体，和标准的直拉法一样，只是做了一些改进。由于熔融物里砷的挥发性通常采用一层氧化硼漂浮在熔融物上来抑制砷的挥发。 4.4 硅中的晶体缺陷 晶体缺陷－crystal defect 缺陷密度－在每平方厘米硅片上产生的缺陷数目 点缺陷：原子层面的局部缺陷 位错：错位的晶胞 层错：晶体结构的缺陷 点缺陷 位错(Dislocation Defects) 在单晶中，晶胞形成重复性结构。如果晶胞错位，称为位错。 层错 层错与晶体结构有关，经常发生在晶体生长过程中。 滑移：沿着一个或更多的平面发生滑移 孪生平面：在一个平面上，晶体沿着两个不同的方向生长 4.5 硅片制备 整型处理 切片 磨片和倒角 刻蚀 抛光 清洗 硅片评估 包装 整型处理 去掉两端 径向研磨 硅片定位或定位槽 切片 切片是用带有金刚石切割边缘的内圆切割机来完成的 对300mm的硅片，目前都采用线锯来切片的。 磨片和倒角 双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。 硅片边缘抛光修正——倒角。 刻蚀 为了消除硅片表面的损伤，进行硅片刻蚀。 硅片刻蚀是利用化学刻蚀选择性去除表面物质的过程。 腐蚀掉硅片表面约20微米的硅。 化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing） 后续步骤 清洗 硅片评估 包装 4.6 质量测量 物理尺寸 平整度 微粗糙度 氧含量 晶体缺陷 颗粒 体电阻率 4.7 外延 外延(epitaxial)：与衬底有相同的晶体结构 用作双级晶体管中阻挡层，可减少集电极电阻同时保持高的击穿电压；用在CMOS和DRAM中可改进器件性能，因为外延层具有低的氧、碳含量。 双级晶体管中外延层 CMOS中外延层 硅源和掺杂源气体 外延示意图 作业 复习题 11、41、46 谢谢听讲！ * 第四章硅和硅片制备 * 第四章硅和硅片制备 * * * *