第一章常用半导体器件讲解.ppt

双极型半导体三极管 图1.17 双极型三极管的结构 3区3极两个结；e浓b薄. 集电区 用C或c表示 （Collector） 发射区 用E或e表示 （Emitter） 基区 用B或b表示 （Base） 发射结(Je) 集电结(Jc) 双极型半导体三极管的电流分配与控制 图1.18 三极管内部载流子的运动情况 － + － + RC c b e IC IE IB Vcc VBB RB ICBO ICN IBN N P N 发射结正偏，集电结反偏。 双极型半导体三极管的电流分配与控制 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IE。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是IBN。 另外，因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式: IC=ICN+ ICBO IB= IBN－ICBO IE=ICN+ IBN 双极型半导体三极管的电流关系 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接