190126字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1).docVIP

警告 阿闪光词或短语必须在被删除之前的状态正在制定方案。累积比特闪存编程在单词或短语是不允许的。 快闪记忆体可被理解为字节对齐的话，或错位的话。读访问时间为一个字节总线周期和一致的话，两个总线周期错位的话。对于闪存，擦除 位读取和程序1位值为0。 这是不可能的，从闪存块读命令，而任何具体的闪存模块执行。 它可以从一个闪存模块读取数据的同时命令在不同的闪存块执行。 P均闪光和D -与纠错码（ECC）的实施，可以解决单个比特错误和检测双比特错误快闪记忆体。为P -快闪记忆体，环境保护运动委员会的执行需要一个节目将于8字节对齐的基础上（一个Flash短语）做。由于P -闪存始终是读 由词组，只有一个包含字节或字短语访问单比特错误将得到纠正。 19.1.1术语 命令写序 - 微控制器的指令序列执行内置（包括编程和擦除算法）在快闪记忆体。 ?-闪存 - 的D -闪存构成了非易失性存储器的数据存储。 ?闪光部门 - 该D -闪存部门是最小的D部分，快闪记忆体，可以被删除。在D -闪存部门包括一个256字节总数的4行64个字节。 非易失命令模式 - 一种非易失性存储器模式使用CPU设置的FCCOB通过登记为Flash命令执行所需的参数。 词组 - 一个不结盟集团4个16位字内的P -快闪记忆体。每个短语包括8个 单比特错误校正和故障检测的双位ECC的位在词组。 个P -闪存 - 的P -闪存构成了申请的主要非易失性内存存储。 个P -闪光部门 - 的P -闪存部门的P最小的部分，快闪记忆体，可以被删除。每个P -闪存部门包含1024个字节。 计划仪表飞行规则 - 位于非易失性的信息登记在P -闪存块，它包含了设备ID，版本ID，以及经实地计划。该方案是可见的飞行技术研究所在全球内存映射通过设置在MMCCTL1寄存器PGMIFRON位。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体556 初步 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 19.1.2特点 19.1.2.1的P - Flash等功能 ?128字节的P -闪存的1 128 Kbyte闪存组成的块划分为128个部门 1024字节 ?单比特错误改正，并且在64位短语双位错误检测在读取操作 ?自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代 ?快速扇区擦除和短语程序操作 ?灵活的保障计划，以防止意外编程或擦除的P -快闪记忆体 19.1.2.2?闪光功能 ?8字节的D -快闪记忆体的一个8 Kbyte闪存块组成，分成32个部门的256 字节 ?单比特错误改正，并且在字双位错误检测在读取操作 ?自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代 ?快速扇区擦除和文字程序操作 ?保护计划，以防止意外编程或擦除的D -快闪记忆体 ?能力计划后，以4个字在突发序列 19.1.2.3其它闪存模块功能 ?无需外部高压电源供应闪存程序所需和擦除操作 ?产生中断命令完成对Flash和Flash错误检测 ?安全机制，防止未经授权的访问闪存 19.1.3框图 该闪存模块的框图如图19-1。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体557 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 命令 中断 请求 错误 中断 请求 闪光 接口 寄存器 保护 16位内部总线 安全 振荡器 时钟（XTAL） 时钟 分频器 FCLK 处理器 内存 控制器 便条内存 384x16bits ?闪光 4Kx22 扇区0 部门1 部门31 图19-1。 FTMR128K1框图 19.2外部信号描述 该闪存模块不包含任何信号，连接片外。 19.3内存映射和寄存器 本节介绍内存映射和闪存模块的寄存器。从闪存模块未执行的内存空间读取数据是不确定的。写访问权限没有得到执行或保留的内存空间 在Flash模块将被忽略的闪存模块。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 558飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 19.3.1模块内存映射 地方S12X架构的P -闪存之间的全局地址0x7E_0000和0x7F_FFFF内存 如表19-2。该P - Flash存储器映射如图19-2。 表19-2。个P -快闪记忆体寻址 全球通讯簿大小 （字节） 描述 0x7E_0000 - 0x7F_FFFF 128亩的P -闪光块0 包含Flash配置场 （见表19-3） 该FPROT寄存器，第19.3.2.9描述的，可设置为保护该地区的闪存