第5章塑性变形及再结晶分解.ppt

第五 1 章 材料的塑性变形 The plastic deformation of materials ※ 1. 弹性和粘弹性 Elasticity and Viscoelasticity r r0 原子处于平衡位置 位能 U 为 Umin 最稳定 F 0 r r0 即偏离其平衡位置 F＞引力 ＜斥力 力图使原子恢复其 原来的平衡位置 变形消失 应力-应变关系 Stress-Strain behavior 虎克定律 Hooke’s law s Ee t Gg 广义虎克定律 矩阵表达式 二 弹性模量 E Elastic modulus 表征晶体中原子间结合力强弱的物理量, 反映原子间的结合力,是组织结构不敏感参数。对晶体而言，系各向异性 沿原子最密排的晶向 Emax 沿原子最疏的晶向 Emin 工程上E系材料刚度的度量 弹性变形量随材料不同而异 三 弹性的不完整性 1. 包申格效应 （Bauschinger effect） 经预先加载产生少量变形（ 4%） 而后同向加载则se↗ 而后反向加载则se↘ 2. 弹性后效 （Elastic after－effect） 在弹性极限se范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象 3. 弹性滞后 （Elastic lag） 由于应变落后于应力，在s-e曲线上加载曲线与卸载线不重合，而形成一封闭回线 四 粘弹性 牛顿粘性流动定律 一 滑移（Slip） 1.现象 2.滑移的晶体学特征 滑移面和滑移方向 晶体中原子密度最大的面和方向 Slip plane Slip direction 为什么 fcc：滑移面 111 滑移方向 hcp: 0001 c/a≥1.633 0001 , 1010 , 1011 c/a∠1.633 bcc: Tm/4 112 Tm/4 ~ Tm/2 110 0.8Tm 123 3. 滑移所需临界分切应力 Critical（resolved）shear stress 晶体滑移 必须使t≥ tc 快速确定具有最大取向因子cosφcosλ的滑移系方法 映象规则：利用投影图中心部分的八个取向三角形 4. 晶体在滑移时的转动 （rotation） 综上所述，滑移变形的基本特点： Ⅰ 滑移变形系不均匀的切变，它只集中在某些晶面上； Ⅱ 滑移结果两部分晶体产生相对移动，移动的距离△＝nb， 仍保持晶体学的一致性； Ⅲ 沿着一定的晶面和晶向进行，滑移系较多的材料为（fcc） 一般具有较好塑性； Ⅳ 在切应力作用下，且t＞ tc； Ⅴ）滑移同时，滑移面和滑移方向将发生转动； Ⅵ）实质位错沿滑移面的运动过程 二 孪生 （Twin） 滑移系较少的hcp，或在低温下或者当滑移受阻时晶体会 以另一种变形方式——孪生变形进行 Deformation by twinning 不同晶体结构往往有不同孪生面和孪生方向： fcc： 111 hcp: 1012 bcc: 112 孪生的主要特点： Ⅰ）孪生是均匀切变， Ⅱ）相对移动距离不是孪生方向的原子间距的整数 倍，孪生面两边晶体位向不同成镜面对称； Ⅲ）切变区内与孪生面平行的每一层原子面均相对 其邻面沿孪生方向位移了一定距离，且每一层 原子相对于孪生面的切变量和它与孪生面的距 离成正比； Ⅳ）孪生改变了晶体取向，因此出现孪晶的试样经 重新抛光，腐蚀后仍能显现出来。 Ⅴ）在切应力作用下，且t tc但tc 孪生 tc 滑移 Ⅵ）实质借助一个不全位错运动而成，存在形核与 长大过程。 造成扭折的原因是滑移面的位错在局部地区集中，从而引起的晶格弯曲。 四 塑变的位错机制 位错运动首先遇到点阵阻力——派纳力： 晶体的滑移过程不仅没有降低位错数量，反而大大增加，这意味着，在变形过程中位错以某种机制增殖了。 （1）Frank－Read 位错源 （Frank－Read Source） 由弗兰克－瑞德源提出的一种位错增殖机制 刃位错AB的两端A和B被位错用结点钉扎住 位错线各段均受到滑移力f＝tb且与位错线相垂直（法线方向）位错线各点移动的线速度一样，但角速度不同。位错线发生弯曲，甚至两端分别绕AB发生回转。位错线上各处位错性质也随之变。m,n两处同属纯螺型位错，但位错性质恰好相反，相吸！相迁时，彼此便会抵消，这使原来整根位错线断开成两部分，外面为封闭的位错环，里面为一段连接A和B的位错线，在线张力作用下变直恢复到原始状态。在外力的继续作用下，它将重复上述过程，每重复一次就产生一个位错环，从而造成位错的增殖，并使晶体产生可观的滑移量。 F－R源发生作用所需的临界切应力为 （2）双交滑移位错增殖机制 螺位错的滑移面不是唯一的 若螺型位错经交滑移后再转回到与原滑移面相平行的晶面上继