2009-177210薄膜硅集成型太阳能电池1.docVIP

)【公開番号】特開２００９－１７７２１０（ＰＡ）(43)【公開日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）(54)【発明の名称】薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法【氏名又は名称】三菱重工業株式会社【住所又は居所】東京都港区港南二丁目１６番５号 詳細な説明 【発明の詳細な説明】【技術分野】技术领域【】本発明は、薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法に関する。【背景技術】 技术背景【】太陽電池の技術分野では、（１）太陽からの光を半導体材料により形成されるｐｉｎ接合層などのエネルギー変換部にいかに効率良く取り込むか。【】（２）また、上記ｐｉｎ接合層等などのエネルギー変換部において、太陽エネルギーから電気エネルギーに変換する効率をいかに高めるか。【0004】という技術開発項目がある。そして、これらの効率を向上させることにより、太陽電池全体の発電効率の向上が図られている。 【】図１には、これらの効率を向上させることを目的とした従来のタンデム構造を有する太陽電池の概略積層構造が示されている。図１に示される太陽電池は、順次積層された、透明絶縁基板１、第１透明電極（第１導電層）２、ｐ型シリコン層（非晶質シリコン層）３、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）４、ｎ型シリコン層（非晶質シリコン層）５、ｐ型シリコン層（多結晶シリコン層）６、ｉ型シリコン層（多結晶シリコン層）７、ｎ型シリコン層（多結晶シリコン層）８、第２透明電極９、裏面電極１０をている。【】ｐ型シリコン層（非晶質シリコン層）３と、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）４と、ｎ型シリコン層（非晶質シリコン層）５とにより非晶質シリコン太陽電池が形成される。前記非晶質シリコン層は、シリコンを主成分とする層、例えば炭素を５０％未満添加したシリコンカーバイド、ゲルマニウムを２０％未満添加したシリコンゲルマニウムでも良いし、その他の元素を数％以下程度含んでも、実質的な主成分がシリコンであればよい。前記非晶質シリコン層の結晶性は、主たる光電変換層であるｉ型シリコン層の大部分が非晶質であれば良く、ｐ型シリコン層およびｎ型シリコン層の結晶性にはこだわらない。 P型硅层（非晶硅层）3和i型硅层（非晶硅层）即使含有百分之几的其他元素，但只要主要成分是硅就可以。上述非晶硅层的结晶性只要在光电转换层的i层中是非晶硅层就可以。至于P层和N层的结晶性就不受限制了。【】また、ｐ型シリコン層（多結晶シリコン層）６と、ｉ型シリコン層（多結晶シリコン層）７と、ｎ型シリコン層（多結晶シリコン層）８とにより結晶質シリコン太陽電池が形成される。前記多結晶シリコン層は、シリコンを主成分とする層、例えば炭素を５０％未満添加したシリコンカーバイド、ゲルマニウムを２０％未満添加したシリコンゲルマニウムでも良いし、その他の元素を数％以下程度含んでも、実質的な主成分がシリコンであればよい。前記多結晶シリコン層の結晶性は主たる光電変換層であるｉ型シリコン層の過半数が結晶質であれば良く、ｐ型シリコン層及びｎ型シリコン層の結晶性にはこだわらない。透明絶縁基板１側から入射した太陽光は、非晶質シリコン太陽電池において最初の電気エネルギーへの変換が行われる。次に、非晶質シリコン太陽電池で吸収されなかった太陽光が、その下層に形成された結晶質シリコン太陽電池に到達し、そこで再び電気エネルギーへの変換が行われる。図１に示される太陽電池においては、入射する太陽光の反射を減少させ、なるべく多くの太陽光が太陽電池中に取り込まれるように、第１透明電極２の厚さが調整される。また、非晶質シリコン太陽電池では、光照射により劣化して発電量が低下する現象があるが、膜質向上、膜中の欠陥低減により光劣化率の低減（安定化効率の向上）が図られている。 另外，P型硅层（多晶硅层）6和I型硅层（多晶硅层）7和N型硅层（多晶硅层）8，构成晶硅太阳能电池。上述的多晶硅层是以硅为主要成分的层.例如：可以是添加有低于50%碳的碳化硅、也可以是添加低于20%的锗的锗化硅。即使含有百分之几的其他元素，但实际的主要成分主要是硅就可以。上述多晶硅层的结晶性只要在光电转换层的i层中占有半数以上的晶硅就可以。至于P层和N层的结晶性就不受限制了。从透明绝缘基板1射入的太阳光光线在非晶硅太阳能电池中转换成最初的电能源，如图1所示，在太阳能电池中，为了使射入的太阳光减少反射，为了使更多的太阳光线进入太阳能电池之中，需要调整第1电极2的厚度。另外，在非晶硅太阳能电池中，有时会因太阳光的照射引起性能退化，引起发电量降低现象。通过提高膜质、降低膜中的缺陷，降低光线的劣化率（提高稳定性效率） 【】しかし、太陽電池の積層構成とそれらを構成する各層厚の最