光电传感器结业论文.docVIP

光电传感器实验研究 摘 要 随着科学技术的发展，人们发明了各种各样的机器，为了改善机器的性能，提高机器的自动化程度，需要实时地测量反映机器工作状态的信息，并利用这些信息区控制机器，使之处于最佳的工作状态。同时。人类生活也越来越注重信息和自动化，在日常的生产学习过程中，人们常常需在必要的环境条件下进行自动采集信息，识别，筛选、传送等一系列的控制过程。传感器就是在这样一种需求下应用而生，自然而然的面世了，按照不同地外界因素的变化，传感器分为不同的类别有温度传感器，气敏传感器，光电传感器，压电式传感器等。而在现实不断的使用摸索下，在近代，光电传感渐渐被人们所青睐，在日常生活生产学习中发挥了不可磨灭的作用。而光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性因受到光的照射而发生变化。 关键词：光电效应、光电传感器、光敏材料 引言 光电式传感器是利用光敏元件将光信号转换为电信号的传感器件，它的敏感度波长在可见光波长附近，包括红外线和紫外线。光电传感器不只局限于对光的探测，它还可以作为探测元件组成其它传感器，对许多非电量进行检测。光电式传感器是目前产量最多、应用最广的传感器之一，它在自动控制和非电量测试技术中占有非常重要的地位。 理论基础——光电效应 光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光电导效应，大多数光电控制应用的传感器，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都属于内光电效应类传感器。 1.外光电效应 光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足够大，电子会克服束缚逸出表面，从而改变光电子材料的导电性，这种现象成为外光电效应。 根据爱因斯坦的光电子效应，光子是运动着的粒子流，每种光子的能量为hv(v为光波频率，h为普朗克常数)，由此可见不同频率的光子具有不同的能量，光波频率越高，光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子，电子能量将会增加，增加的能量一部分用于克服正离子的束缚，另一部分转换成电子能量。根据能量守恒定律： (1/2)mv(2)=hv-w 式中，m为电子质量,v为电子逸出的初速度,w为逸出功。 由上式可知，要使光电子逸出阴极表面的必要条件是hvw。由于不同材料具有不同的逸出功，因此对每一种阴极材料，入射光都有一个确定的频率限，当入射光的频率低于此频率限时，不论光强多大，都不会产生光电子发射，此频率限称为“红限”。 2.内光电效应 当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg Eg为带隙间隔)时,价带中的电子就会吸收光子的能量,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴,形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子,但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一个入射光的极限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低频限(即极限频率ν0=Egh)。这个关系也可以用长波限表示,即λ0=hcEg。入射光的频率大于ν0或波长小于λ0时,才会发生电子的带间跃迁。当入射光能量较小,不能使电子由价带跃迁到导带时,有可能使电子吸收光能后,在一个能带内的亚能级结构间(即图1中每个能带的细线间)跃迁。1）按原理图1连接好实验线路，将光源用的标准钨丝灯和光敏电阻板置测试架中，电阻盒以及转接盒插在九孔板中，电源由DH-VC3直流恒压源提供。 （2）通过改变光源电压或调节光源到光敏电阻之间的距离以提供一定的光强，每次在一定的光照条件下，测出加在光敏电阻上电压U为+2V、+ 4V、+6V、+8V、+10V时5个光电流数据，即,同时算出此时光敏电阻的阻值。以后逐步调大相对光强重复上述实验，进行5～63）根据实验数据画出光敏电阻的一组伏安特性曲线。 46.8 315.7 1099 2688.9 5436.7 2 0.056 0.203 0.404