沈阳化工大学无机科学基础--3-4线缺陷与面缺陷导论.ppt

无机材料科学基础 第五节 线缺陷 （一）概念 实际晶体受到各种力的作用使晶体内部质点排列变形，原子间行列相互滑移，不再符合理想晶格的有序排列，而形成线状的缺陷称为位错。 —— 位错 （二）位错的基本类型和特征 刃位错 螺位错 混合位错 1. 刃位错 在位错线附近原子失去正常有规律排列，并滑移一段距离，由此产生的缺陷即是刃位错。 伯格斯矢量 （滑移方向） 位错线 ┸ 特征： 位错周围形成一个弹性应力场 刃位错有正负之分： ┸ 正刃位错 ┯ 负刃位错 在位错线处，晶格畸变最大；离位错线越远晶格畸变越小 2. 螺位错 在位错线附近原子失去正常有规律排列，产生螺旋位移，这种缺陷即是螺位错 位错线附近原子排列 螺位错周围存在剪切应力场 螺位错分为左旋和右旋，位错线周围原子配置是螺旋状的 伯格斯矢量 与位错线平行 离位错线距离越远，晶格畸变越小 特征： 3. 混合位错 特征：滑移方向与位错线即不平行也不垂直，可分解出螺位错和刃位错。 （三）位错的运动 位错的滑移：指位错在外力作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。 位错的攀移：指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 位错的滑移： 位错在滑移时是通过位错线或位错附近的原子逐个移动很小的距离完成的。 刃位错的运动 螺位错的运动 混合位错的运动 位错的攀移： （a）正攀移 （半原子面缩短） （b）未攀移 （c）负攀移 （半原子面伸长） （四）晶体中位错的研究方法 位错密度：单位体积内全部位错线的总长 第六节 面缺陷 面缺陷是指晶面两侧原子的排列不同，如晶体的表面、晶界、相界面、层错、孪晶界面等。 晶界（位错界面）： 根据形成晶界时的操作不同，晶界分为倾斜晶界和扭转晶界 大角度晶界： 小角度晶界： 晶界的结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当取向差θ小于10~15o时，称为小角度晶界。 大角度晶界两侧晶粒的取向差较大， θ大于10~15o 面心立方晶体中的抽出型层错(a)  和插入型层错(b) 堆积层错： 面心立方晶体中{111}面反映孪晶的〈110〉投影图 反映孪晶界面： 本章重点： 点缺陷： 热缺陷、杂质缺陷、固溶体、非化学计量氧化物 缺陷反应方程、固溶体分子式 缺陷浓度的计算 无机材料科学基础