微电子工艺模拟与器件的CA方法进展学案.doc

微电子工艺( 周再发，黄庆安，李伟华 （东南大学 MEMS教育部重点实验室，江苏 南京210096） 摘要：综述了用于微电子工艺模拟和器件分析的元胞自动机（CA）工艺工艺二维）（i,j）： （1） 式中为t时刻（i,j）为（i,j） 图3 F. Masato等人得到的Si3N4刻蚀过程的模拟结果与实验结果[19] （a）模拟结果，（b）实验结果 淀积模拟 在IC的加工过程中，淀积薄膜技术有着广泛的应用，薄膜对IC器件的性能有着重要的影响。快速精确地模拟薄膜的淀积过程，可以在虚拟环境中分析薄膜性能，缩短IC产品的设计周期。采用CA方法模拟淀积过程，比较成功的是E. Strasser 等人于1995年提出的淀积过程模拟的三维CA模型[18]，由于该模型集合了线算法来计算淀积速率，可以根据刻蚀过程中不断变化的边界计算相应淀积速率，可以模拟不同的淀积过程。 随后是F. Masato等人于1997年提出的一种通用的淀积、刻蚀过程模拟的三维CA模型[3]，该模型采用三维冯-诺依曼邻域，应用表面元胞的规格化材料密度及其相邻元胞的规格化材料密度，得到表面的曲率，进而采用类似于线算法的方法得到表面元胞处的淀积速率。采用该三维CA模型得到的多步淀积工艺过程的模拟结果与实验结果非常一致，如图4所示[3]。在F. Masato等人工作的基础上，2003年U. H. Kwon等人建立了一种淀积模拟的三维CA模型[19]，结合蒙特卡罗方法计算淀积速率，该模型具有更高的精度，但相对于F. Masato等人的CA模型，该模型的模拟速度有所下降。 图4 F. Masato等人采用三维CA模型得到的多步淀积工艺的模拟结果与实验结果[3] （a）模拟结果，（b）实验结果 与上述采用冯-诺依曼邻域的淀积模拟的CA模型不同，1999年，G. C. Sirakoulis等人采用摩尔邻域建立了淀积过程模拟的二维CA模型[20]。该CA模型将表面元胞视为惠更斯源（Huygens’ source），这些惠更斯源在淀积过程中会根据淀积速率不断的产生圆形惠更斯波，这些惠更斯波形成的封闭区域就是经过某段时间淀积得到的淀积材料层，惠更斯波的半径可以由任何一种通用淀积速率计算方法得到。虽然该模型具有边界条件和初始条件简单的优点，但如何将该模型推广为三维CA模型以及如何实现淀积速率计算与惠更斯波生长的完全无缝连接，目前仍属尚未解决的问题。 氧化模拟 由于SiO2的一些特性，如易于在Si上生长，易于刻蚀成型，能够掩蔽杂质扩散以及良好的电绝缘性等，使得硅工艺成为第一个形成生产能力的集成电路工艺。氧化工艺在集成电路的制作中占有重要位置，对氧化过程模拟的研究具有很久的历史。虽然一维的氧化过程模拟早已取得成功，但是直到1998年，H. D. Zhang等人才实现伴随不断变化的氧化物边界的氧气扩散过程的数值模拟，解决了二维氧化过程模拟的一个难题[21]。然而，H. D. Zhang等人提出的方法并不能实现不平整表面、以及有掩模情况下的氧化过程模拟。 为了解决这个问题，I. Karafyllidis等人首先研究了采用CA方法模拟二维的氧化过程，将一维的氧化动力学原理应用于CA的元胞，以便处理复杂的边界条件以及初始条件。采用摩尔邻域得到了一个比较简单的CA规则，用于模拟氧化过程[5]。采用该CA方法模拟得到的具有金属掩模且衬底是平面情况下的氧化结果，以及具有金属掩模但衬底表面不平整时的氧化结果与已有的实验结果非常一致。 器件分析 随着IC器件尺寸达到亚微米、纳米尺寸，一方面，各种在较长沟道下不明显的二级物理效应开始出现，比如量子效应、 图7 模拟得到的和实验测得的不同沟道长度时的电流-电压输出曲线，VG-=2V 展 望 随着集成电路集成度的不断提高，生产工序也日益增多，整个工艺过程至少包含有几十道工序，涉及上百个甚至上万个工艺参数，而且每一道工序都会对最终产品的性能产生直接影响，已不再可能使用传统的反复试验迭代的方法为这样一个多变量过程确定出最佳工艺条件。因此，集成电路制造工艺模拟与设计系统应运而生并且成为 IC计算机模拟技术开发领域中的研发热点。 目前，由于计算机运算速度对CA方法应用的限制减小，CA方法以其模拟精度高的优点逐渐得到研究者的重视，研究采用CA方法模拟微电子加工工艺已经成为集成电路CAD的一个重要方向。此外，相对于目前流行的蒙特卡罗方法，CA方法在半导体器件分析方面具有运算速度快，模拟精度高的优点，因此，采用CA方法模拟微电子器件的工作原理的研究也逐渐得到广泛关