纳米材料的制备new.pptVIP

纳米材料的检测与表征 一·颗粒及颗粒度的概念 ①晶粒：是指单晶颗粒，即颗粒内为单相，无晶界。 ②一次颗粒：是指含有低气孔率的一种独立的粒子。 ③团聚体：是由一次颗粒通过表面力或固体桥键作用而形成的更大的颗粒。团聚体内含有相互连接的气孔网络。团聚体可分为硬团聚体和软团聚体两种，团聚体的形成过程使体系能量下降。 ④二次颗粒；是指人为制造的粉料团聚粒子。例如制备陶瓷的工艺过程中所指的“造粒”就是制造二次颖粒。 纳米微粒一般指一次颗粒。它的结构可以为晶态、非晶态和准晶态。可以是单相、多相或多晶结构。 ⑤颗粒尺寸的定义 对球形颗粒来说颗粒尺寸(粒径)即指其直径。 规则球形颗粒用球的直径或投影圆的直径表示。形状不规则或不对称的颗粒用长、宽、高的某种平均值来表示，称为几何粒径。由于几何粒径计算繁锁，可以通过测量其比表面积、光波衍射等性质来测定的等效直径称为等当直径(当量直径) 。 比表面粒径--利用吸附法、透过法和润湿热法测定粉末的比表面积,再换算成具有相同比表面积的均匀球形颗粒的直径。 气相法制备纳米颗粒 一、蒸发-冷凝法 此方法的优点有以下几点： ① 可制备Ag、Au．Pd、Cu、Fe、Ni、Co、AI、In等纳米颗粒，平均粒径约3nm，而用惰性气体蒸发法很难获得这样小的微粒； ② 粒径均匀．分布窄, 如图 ③ 纳米颗粒分散地分布在油中。 ④ 粒径的尺寸可控，即通过改变 蒸发条件来控制粒径大小，例如蒸发速度、油的粘度、圆盘转速等。圆盘转速高．蒸发速度快．油的粘度高均使粒子的粒径增大，最大可达8 nm。 气相法制备纳米颗粒 一、蒸发-冷凝法 5 通电加热蒸发法 此法是通过碳棒与金属相接触，通电加热使金属熔化．金属与高温碳棒反应并蒸发形成碳化物超微粒子。 右图为制备SiC超微粒于的装置图。碳棒与Si板(蒸发材料)相接触，在蒸发室内充有Ar或He气、压力为1～10kP, 在碳棒与Si板间通交流电(几百A)．Si板被其下面的加热器加热，随Si板温度上升, 电阻下降，电路接通，当碳棒温度达白热程度时，Si板与碳棒相接触的部位熔化．当碳棒温度高于2473K时．在它 的周围形成了SiC超微粒的“烟”，然后将它们收集起来得到SiC细米颗粒。 用此种方法还可以制备Cr, Til, V, Zr、Hf, Mo, Nb, Ta和w等碳化物超微粒子。 气相法制备纳米颗粒 一、蒸发-冷凝法 7．激光诱导化学气相沉积 (LICVD) (LICVD) 法制备超细微粉是近几年兴起的。激光束照在反应气体上形成了反应焰，经反应在火焰中形成微粒，由氩气携带进入上方微粒捕集装置。该法利用反应气体分子(或光敏剂分子)对特定波长激光束的吸收，引起反应气体分子激光光解(紫外光解或红外多光于光解)、激光热解、激光光敏化和激光诱导化学合成反应，在一定工艺条件下(激光功率密度、反应池压力、反应气体配比和流速、反应温度等)，获得纳米粒子空间成核和生长。 激光入射窗 捕集装置 反应焰 激光束 反应气体 氩气 激光挡板 气相法制备纳米颗粒 一、蒸发-冷凝法 激光辐照硅烷气体 分子(SiH4)时．硅烷分子很容易热解 热解生成的气构硅Si(g)在一定温度和压力条件下开始成核和生长，形成纳米微粒。 特点: 该法具有清洁表面、粒子大小可精确控制、无粘结、粒度分布均匀等优点，并容易制备出几纳米至几十纳米的非晶态或晶态纳米微粒。 2 气相法制备纳米颗粒 一、蒸发-冷凝法 8．化学蒸发凝聚法(CVC) 这种方法主要是通过有机高分子热解获得纳米陶瓷粉体。 原理是利用高纯惰性气作为载气，携带有机高分子原料，例如六甲基二硅烷．进入钼丝炉，温度为1100～1400 ℃、气氛的压力保持在1～10 mbar的低气压状态，在此环境下原料热解形成团簇进一步凝聚成纳米级颗粒．最后附着在一个内部充满液氮的转动的衬底上, 经刮刀刮下进行纳米粉体收集，示意图如图所示。这种方法优点足产量大，颗粒尺寸小，分布窄。 衬底 炉子 刮刀 工作室 针阀 漏斗 原料 气体 载气 气相法制备纳米颗粒 一、蒸发-冷凝法 9．爆炸丝法 这种方法适用于制备纳米金属和合金粉体。基木原理是先将金属丝固定在一个充满惰性气体(50bar)的反应室中，丝的两端卡头为两个电极，它们与一个大电容相联结形成回路，加15kV的高压、金属丝500一800kA下进行加热．融断后在电流 停止的一瞬间，卡头上的高压在融断处放电，使熔融的金属在放电过程中进一步加热变成蒸汽，在惰性气体F碰撞形成纳米粒子沉降在容器的底部，金属丝可以通过一个供丝系统自动进入两卡头之间．从而使上述过程重复进行。如图所示。 液相法制备纳米颗粒 液相法:制备纳米材料的开始状态为液态,它是选择一种或多种合适的可溶性金属盐类(Ba(NO3), Ti