GaN--LED生长流程.docVIP

一般LED生长流程 图3.3是一般LED的结构，由蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型掺杂GaN（N-GaN）、发光有源区、P型掺杂GaN（P-GaN）构成。其中有源区下方的GaN的生长质量非常重要，是量子阱有源区生长的基础。而GaN缓冲层到N-GaN的厚度约为2um，可以很好的用激光干涉仪监测。图3.4是LED实际生长中的激光干涉曲线，横坐标为生长时间，纵坐标为激光干涉的相对反射强度。 在生长样品之前，首先将衬底置于氢气（H2）的环境中，在1100℃的条件下烘干10分钟，以便去除衬底表面的杂质及氧化物。因为样品表面的杂质会在很大程度上影响生长的样品的质量。如果衬底不是蜜蜂包装，最好在烘烤之前在比例为1:4的磷酸与硫酸的热溶液中刻蚀10分钟以去除杂质。众所周知，在异质结构的外延生长中，衬底与外延材料的晶格匹配最重要。但是GaN材料一直难以找到与之晶格匹配的饿衬底，目前普遍采用的蓝宝石衬底与GaN的晶格适配度达到17%。直接高温生长很难保证GaN薄膜的生长质量。因此首先在衬底上生长一层缓冲层成为这一问题的解决方法。最常用的是通过两步生长法在蓝宝石衬底上生长GaN LED。生长过程如下： 清洁衬底之后，将衬底温度降到500℃～550℃，在蓝宝石衬底上低温生长一层缓冲层，缓冲层的厚度约为25 nm，如图3.4中a点至b点所示，反射激光的强度逐渐增加，由于生长的缓冲层厚度较小，反射曲线并没有一个周期。25 nm的缓冲层生长完成后即反射曲线到b点后，关闭TMGa源，将衬底温度升高到1070℃左右，温度升高，GaN晶体的质量提高，所以干涉曲线的反射率略有增加，如图3.4中的吧、点到c点之间所示。随着温度的进一步升高，由于此时TMGa源已关闭，25 nm的缓冲层GaN层逐渐分解，形成三维小岛状晶粒分布在蓝宝石衬底上。粗糙的三维小岛表面使入射的激光散射，反射光强度减弱，因此干涉光强度增高到c点后迅速下降。而这些三维小岛成为后续GaN层生长的成核层，提高了后续GaN薄膜的生长质量。接着打开TMGa源，在1070℃的高温下生长GaN层。GaN首先沿三维小岛侧向生长，相邻的三维小岛逐渐合并，合并完成后也开始二维生长。因此图3.4反射强度开始增强，初始时晶体质量较差，e点处得反射强度较低，直到二维生长到达一定厚度，晶体质量逐渐提高，反射强度增加并趋于稳定。在本征GaN生长了约1um之后，打开硅烷源进行掺杂，生长N-GaN。N-GaN一般会生长2 um，直到图3.4中的f处。较厚的N-GaN可以降低电阻，提高载流子注入。接着打开TMIn源，生长量子阱有源区，量子阱的生长过程是图3.4中f点到g点。由图可见，由于有源区的厚度较薄，很难从干涉曲线判断有源区的质量，而有源区的生长参数非常重要。有源区生长完之后，接着生长一层约40 nm的P型掺杂的铝稼氮（AlGaN），P-AlGaN相对P-GaN势垒较高，有利于防止电子的溢出，提高有源区的复合效率，最后再生长一层约200 nm的P-GaN。P-GaN不宜过厚，由于P-GaN掺杂浓度不高，如果太后，会增加P-N结的串联电阻，影响整个LED的电性能。