第二章集成电路中的元器件及其寄生效应解析.ppt

2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应1. 寄生可控硅结构 VH IH I V 0 VDD GND Vo Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW RS RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO 必要条件： 1.两个发射结均正偏 2.βnpn*βpnp 1 3.IPower IH 寄生可控硅一旦被触发，电流巨增，将烧毁芯片。 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应2. 消除闩锁效应措施—版图设计 RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO （1）减小RS和RW ：均匀且充分设计阱和衬底的电源和地的欧姆接触，并用金属线连接，必要时采用环结构。 VDD GND Vo Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW RS 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应2. 消除闩锁效应措施—版图设计 RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO （2）减小βnpn和βpnp ：加大MOS管源漏区距阱边界的距离，必要时采用伪收集极结构。 VDD GND Vo Vi RS Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N-阱 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应2. 消除闩锁效应措施—工艺、测试、应用 （1）增加阱的结深 （2）采用外延衬底 （3）采用外延