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LF355/356/357 JFET输入型运算放大器——中文数据手册 --by LF 邮箱：fxfjy89123@163.com 整体描述: 这些是第一个合成的JFET输入的运算放大器，它把匹配的高电压的JFET晶体管和标准的双极性晶体管放到了一块芯片上（双极FET技术）。这些运放的特征是低输入失调和偏置电流、低偏置电压和偏置电压漂移、可以进行偏置调节而不会降低漂移和共模抑制比。这些运放也设计有高压摆率、宽带宽、极快的建立时间、低电压电流噪声。 特征： 优点 --代替昂贵的混合型和模块型FET运算放大器 --低噪声应用性能优异——高或低的输入源阻抗均可 --偏置可调不会像其他合成型运放降低漂移和共模抑制比 --新的输出阶段可以接入大的电容负载（5000pF）不会出现稳定性问题 --内部补偿和可承受大的差分输入电压 应用： --精密高速积分器 --快速模/数和数/模转换器 --高阻抗缓冲保护 --宽带、低噪、低漂移放大器 --对数放大器 --光电放大器 --采样保持电路 共同特性： --低输入失调电流——30pA --低输入偏置电流——3pA --高输入阻抗——10的12次方Ω --低输入噪声电流——0.01pA/sqrt Hz --高共模抑制比——100dB --高直流增益——106dB 不同特性： --极快的建立时间——5系列4us，6系列7系列1.5us --快速的压摆率——5系列5V/us，6系列12V/us，7系列50V/us --宽增益带宽——5系列2.5MHz，6系列5MHz，7系列20MHz --低输入噪声电压——5系列20nV/sqrt Hz ，6系列7系列12nV/sqrt Hz 供电电压：±15V 典型电路连接： Vos调节 --Vos用一个25k的电位器调节 --电位器中间调节端连到V+ 驱动容性负载 --对于LF155/6 R 5k --对于LF357 R 1.25k --由于独特的输出平台设计，这些放大器能够驱动大的容性负载并且能保持稳定性。Cl（MAX）≈0.01uF --建立时间（Ts）≈5us 大功率带宽放大器 --小于等于1%的失真度，20V峰峰值的输出抖动，功率带宽为500kHz 建立时间测试电路 --LF155/6连接成单位增益变频器来测试建立时间，LF357连接使得Av -5 --FET用来隔离探头的电容 --输出10V步进 --对于LF357来说Av -5 宽带低噪低漂移放大器 --寄生输入电容C1≈（LF355是3pF，LF356和LF357要加上额外的布局电容）和反馈因素相互作用产生高频极点。增加一个电容C2补偿，满足R2C2≈R1C1。 低漂移峰值检测器 --通过增加D1和Rf，VD1 0使其工作在保持模式下。D2的漏电由Rf的反馈路径提供。 --电路的漏电由本身的Ib（LF355，LF356）加上电容Cp的漏电。 --二极管D3锁定Vout（A1）及Vin-VD3用来提高速度并且限制D2的反向失调。 --最大输入频率应远远小于1/2πRfCD2，这里的CD2是D2的旁路电容。 高Q值的带通滤波器 --增加了正反馈（R2） --Q值增加到40 --fBP 100kHz——Vout/Vin 10sqrt Q