GB《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》编制说明.docVIP

国家标准《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》 （稿）编制说明 工作简况 立项目的及意义 半导体材料（尤其是集成电路工业）是电子信息产业的基础和核心，是国民经济现代化与信息化建设的先导与支柱产业。半导体硅单晶材料则是半导体工业的最重要的主体功能材料，至今全球信息产业使用的硅材料仍占半导体材料总量的95％以上，而且国际集成电路（IC）芯片及各类半导体器件的95％以上也是用硅片制造的。高纯硅材料产业是重要的战略性新兴产业，符合国家的产业发展方向。该标准项目是对高纯硅（单晶或多晶）材料中痕（微）量氧杂质进行准确地分析检测，为国内高纯硅材料的生产、质量判定及国际贸易提供技术支撑。 半导体产业的发展是建立在晶体硅材料的研究基础上，一般要求晶体的质量越高越好。而硅晶体的质量与其中的杂质和缺陷相关。氧是硅晶体中最主要的轻元素杂质，它们在器件制造过程中极易形成沉淀，导致器件性能的下降或失效。氧在硅中大部分处于间隙位置，由氧形成的热施主会使得n型硅单晶样品电阻率下降，p型样品电阻率增加，而这些性质的变化影响硅片径向电阻率的均匀度，对电子器件的生产有着重要的影响，使电阻率热稳定性变差，器件成品率下降。氧在硅中也有一些积极作用，氧含量达到一定浓度以上时，对硅单晶机械强度有增强作用，但这种增强作用只有氧处于溶解状态时才会产生，当氧沉淀时，不但不能增强反而会有所破坏。氧在后期制造太阳能电池的过程中也容易引起沉淀或者和某些金属杂质结合在一起，形成新施主、电学中心等，使所制作的太阳能电池的性能不稳定，影响太阳能电池的转换效率和光衰减效率。因此，准确地检测氧含量，对硅材料具有重要意义。 任务来源 根据国家标准委《关于下达2014年第二批国家标准修订计划的通知》（国标委综合[2014] 89号）文件精神，由特变电工新特能源股份有限公司负责修订《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会负责归口，计划编T-469，计划完成时间为2016年。 编制单位简况 成立于20年，主要生产、研发、销售高纯多晶硅、多晶硅/单晶硅硅片、高纯四氯化硅、气相二氧化硅等产品，并提供硅产业技术服务，主导产品为多晶硅，目前，多晶硅生产规模达到15000吨/年，居世界前八位，中国前三位。 新特能源股份有限公司坚持机制创新、体制创新、科技创新、管理创新、文化创新的创新求变理念，2012年经新特能源股份有限公司高层领导研究决定在新特能源股份有限公司质检中心的基础上组建了新疆新特新能材料检测中心有限公司，本公司于2013年和2014年两年间相继取得CMA和CNAS资质，本公司实验室有效建筑面积6540m2，其中十万级恒温空间占地6340 m2，千级高洁净间占地756 m2；实验室仪器配置涵盖了气相、液相色谱，光谱、质谱等常规及高尖端分析检测仪器,超洁净的环境、高尖端的设备为无机痕量级分析奠定了基础，这些设备为后续的多晶硅实验检测提供了良好的硬件设施及条件。 主要工作过程 2015年2月，接到国标委工作计划后，在全国半导体设备和材料标准化技术委员会的组织下，成立了标准编制组，由任组长。标准编制组充分调研了客户对《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》标准的修订。 《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》新版《电子级多晶硅》GB/T 12963-2014《太阳能级多晶硅》对电子级多晶硅太阳能、、级的各项技术指标均做了大幅度提升，《电子级多晶硅》原生多晶中氧的含量是低于0.5×1016atoms/cm3 的随着半导体行业的迅猛发展，太阳能电池的转化率稳步提高，对原生多晶内在质量提出更高的要求，氧是太阳能电池片的主要杂质元素，过量的氧会引入大量的二次缺陷，对电学性能产生破坏，但氧主要是在太阳能电池片生产过程中的引入，原生多晶中氧的含量是低于0.5×1016atoms/cm3 的，根据生产的实际技术需求，