实用模拟电子技术试卷河工大技术.docVIP

《模拟电子技术》试卷 一.填空题(每空1分,共30分) 1．P型半导体掺入 三 价元素，多子是 自由电子 ，少子是 空穴 。 2．PN结主要特性是具有单向导电性 ，即正 导通，反向 截止 。 3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结 反向偏置 。 4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区，此时也称它工作在 开关 状态。 5．幅度失真和相位失真统称为 频率 失真，它属于 线性 失真。 6．功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率 ， 乙类 功率放大电路的效率最高。 7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。 8．三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。 9．分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用，其原理是构成 电压串联 负反馈。 10．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。 11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为 PMOS 和 NMOS 型。 二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 C D A B 1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。C A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5 C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2 2．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ） A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET B) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型 C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET D) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型 3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数将（ A） A) 增加 B) 减小 C) 不变 D) 不能确定 4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。 A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路 C) 减小工作点电流 D) 加大RC ?窗体顶端 5．功率放大电路按（ A ）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。 A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同 C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同 6．理想集成运算放大器的放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro分别为（ C ） A) ?，0，? B) 0，?，????????????????C) ?，?，0 D) 0，?，0 7．正弦波振荡电路的起振条件是（ B ）。 A) ； B)??； C) ； D) ； 8．共模抑制比KCMR是（ D ） A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值 B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值 9．下列说法中正确的是（ D ） A) 任何放大电路都有功率放大作用 B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真 C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈 D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变 10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。 A) 耦合电容和旁路电容的存在 B) 半导体管极间电容和分布电容的存在 C) 半导体管的非线性特性 D) 静态工作点不合适 三．（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V，Rb1=20K，Rb2=10K，Re=2K ,R