固体物理学_半导体电子论之非平衡载流子案例.pptVIP

07_05_非平衡载流子 —— 半导体电子论 07_05 非平衡载流子 N型半导体 —— 主要载流子是电子，也有少量的空穴 电子 —— 多数载流子 —— 多子 空穴 —— 少数载流子 —— 少子 P型半导体 —— 主要载流子是空穴，也有少量的电子 空穴 —— 多数载流子 —— 多子 电子 —— 少数载流子 —— 少子 热平衡下电子和空穴的浓度 半导体中的杂质电子，或价带中的电子通过吸收热能 激发到导带中 —— 载流子的产生 电子回落到价带中和空穴发生复合 —— 载流子的复合 —— 达到平衡时，载流子的产生率和复合率相等 电子和空穴的浓度有了一定的分布 电子和空穴的浓度 —— 热平衡条件 在外界的影响作用下，电子和空穴浓度可能偏离平衡值 有 —— 非平衡载流子 —— 非平衡电子和非平 衡空穴的浓度相同 —— 如本征光吸收产生电子 — 空穴对 非平衡载流子对多子和少子的影响 多子的数目很大 —— 非平衡载流子对多子的影响不明显 —— 对少子将产生很大影响 —— 在讨论非平衡载流子的问题时 主要关心是非平衡少数载流子 1 非平衡载流子的复合和寿命 在热平衡下，载流子的浓度具有稳定值 非平衡载流子 —— 光照可以产生载流子 —— 开始光照，载流子的产生率增大 同时复合率也增大载流子的浓度偏离热平