关于氮化镓的晶体学案例.docxVIP

氮化镓晶体晶体结构[1-3]空间结构：空间群：P63mc平衡晶格常数：a?=?3.186 ?,?c?=?5.186 ?基矢：Ga: N:基元坐标：Ga: 0 0 0,1/3 2/3 1/3 N: 0 0 3/8,1/3 2/3 7/8分别对应的Wykoff符号：2a,3m,2a,2b。2.晶体结构缺陷介伟伟等人[4]研究了GaN本征点缺陷Ga、N的空位缺陷，模拟计算了五种模型（GaN、Ga0.875N、Ga0.750N、GaN0.875、GaN0.750）的能带结构、差分电子密度，电子态密度。得到了两种空位缺陷对GaN性能的影响，结果如下：表1.五种类型晶格常数和禁带宽度由表1可知，四种缺陷GaN的带隙宽度比无缺陷的GaN的要大；晶格常数都发生了改变：a值随空位的种类以及浓度的变化不大，而c值随Ga空位浓度增加而增大，随N空位浓度增加而减少。图1.五种模型（110）面差分电子密度分布N的负电性比Ga的强，图1a中可以看到Ga-N键的电子云集中在N原子附近，Ga-N键具有明显的离子性。图1b、c中由于存在Ga空位，电子云更加分散，使键作用增强，晶格常数c增加，导带向高能方向移动，价带向低能方向移动，导致禁带宽度增加。图1d、e中存在N空位，随着N空位浓度逐渐增加（a→d→e）,电子态密度下降，导致Ga-N的结合能减弱，价带向低能方向移动，导带也向低能方向移动，