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2007 / 2008 学年第_二学期期 末 考试卷A 一、填空（1分×15 15分） 双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。 集成度提高的三个主要技术因素是器件尽寸缩小，（ ）及芯片集成效率 结构和工艺设计改进 提高。 衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、（ ）。 增强型NMOS管其UGS , 则该管截止；增强型PMOS管其UGS , 则该管导通。 N沟器件的好处是电子表面迁移率比空穴表面迁移率（ ），所以NMOS电路的工作速度比PMOS电路（ ） 带缓冲级的CMOS门电路，输出驱动能力仅由该输出端的（ ）决定，与各输入端所处的（ ）。 在模拟IC的横向PNP管中，基区宽度减小会使β（ ），使CE之间的穿通电压VPT（ ），基区宽度的选择要首先保证（ ）对基区宽度的要求。 差模放大器放大有用的（ ）信号，对各种共模信号具有良好的共模 抑制作用。β、VBE、，ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声，这些变化均是（ ）信号。 二 问答题 （56分） 1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图， （1）简述寄生晶体管对NPN管的影响 （4分） （3）工艺上如何减小有源寄生效应（5分）。 （ 共9分） 图1 2、（1）画出标准TTL与非门逻辑电路图（3分）。 （2）简述当输入为高电平时的工作原理（要说明各个管子的工作状态并标出每个基极和集电极的电位）（6分）。 （3）5管单元TTL与非门电路比标准TTL与非门做了那些改进，提高了那些性能（5分）。 （共14分） 3、肖特基嵌位晶体管与普通晶体管相比有什么特点（5分）？ STTL与非门电路比6管单元TTL与非门电路作了那些改进（2分）?提高了电路的什么性能（2分）?带来了那两个缺点（4分）? （共13分） 4、（1）画出互补CMOS反相器电路图（2分） （2）简述其工作原理（6分）。 （3）要使反相器噪容最大、输出波形对称需满足什么条件（2分） （共10分 5、模拟IC中对扩散电阻器的要求是什么？（3分） 6、说出差分放大器输入失调电流的定义。（3分） 三 综合题 （29分） 1、设计一个互补CMOS逻辑电路，实现 逻辑功能 并设计每个器件的宽长比使输出波形对称。 （14分） 与之匹配的基本反相器器件尺寸为：n NMOS（W/L） 1.5, p NMOS（W/L） 3 2、写出图2电路的节点1和2的逻辑表达式F1和F2（6分），并填写下表（5分）。 X Y Z F1 F2 φ 0 0 0 1 0 1 0 φ 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 3、图3为CMOS电流源电路，当 W/L 2:： W/L 1 ＝2：1，计算 Io：Ir （4分 ） 图3 MOS恒流源 2008 / 2009 学年第_一学期期 末 考试卷A 填空（1分×15 15分） 1、集成度提高的三个主要技术因素是器件尽寸缩小，（ ）及芯片集成效率结构和工艺设计改进提高。 2、衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、（ ）。 增强型NMOS管其UGS和UGD满足 时, 则该管饱和。 带缓冲级的CMOS门电路，输出驱动能力仅由该输出端的MOS晶体管特性 决定，与各输入端所处的（ ）。 齐纳二极管反向击穿电压具有（ ）温度系数。 在模拟IC的横向PNP管中，基区宽度减小会使β增大，使CE之间的穿通电压VPT（ ）。 差模放大器放大有用的（ ）信号，对各种共模信号具有良好的共模 抑制作用。β、VBE、，ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声，这些变化均是（ ）信号。 8、影响双极差模放大器的输入失调电压的主要因素是 ， 其输入失调电压的温漂与失调电压本身成（ ）。 二 问答题 （53分） 1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图， （1）简述寄生晶体管对NPN管的影响 （4分） （3）工艺上如何减小有源寄生效应（5分）。 （ 共9分） 图1 2、（1）画出标准TTL与非门逻辑电路图（3分）。 （2）简述当输入为高电平时的工作原理（要说明各个管子的工作状态并标出每个基极和集电极的电位）（6分）。 （3）5管单元TTL与非门电路比标准TTL与非门做了那些改进，提高了那些性能（5分）。 （共14分） 3、肖特基嵌位晶体管与普通晶体管相比有什么特点（6分）？ STTL与非门电路比6管单元TTL与非门电路作了那些改进（2分）?提高了电路的什么性能（2分）?带来了那两个缺点（4分）? （共14分） 4、（1）画出互补CMOS反相器电路图（2分） （2）简述其工作原理（6分）。 （3）要使反相器噪容最大、输出波形对称需