MEMS 实验 使用L-Edit画反相器布局图.docVIP

XXXXXXXX大学（MEMS）实验报告 实验名称 使用L-Edit 画反相器布局图 实验时间 年 月 日 专 业 姓 名 学 号 预 习 操 作 座 位 号 教师签名 总 评 一、实验目的： 1、进一步熟悉L-Edit的使用，并且能正确、快速的使用这些工具； 2、进一步掌握版图设计的设计规则； 3、能运用L-Edit 实现器件的布局图，掌握软件的基本设定、理解版图图层间的关系； 4、绘制反相器布局图； 二、基本原理： 运用实验三中的nmos组件与pmos组件完成反相器布局图的设计。版图设计操作的基本流程为：进入L-Edit---建立新文件---环境设定---编辑组件---绘制多种图层形状--设计规则检查---修改对象---设计规则检查---电路转化。 三、实验内容及步骤 （1）打开L-Edit程序——另存新文件——取代设定——编辑组件——坐标设定。 （2）复制组件：选择Cell—Copy命令，或单击按钮，打开Select Cell to Copy 对话框，单击其中的Browser按钮，在出现的对话框中选择实验三所编辑的文件exp3.tdb，再在Select Cell to Copy对话框中选择 nmos 组件，单击OK按钮，则可将nmos组件复制至Ex11.tdb文件中。之后再以同样的方式将pmos组件复制到exp4.tdb文件中。 实验截图： （3）引用 nmos 组件：选择Cell—Instance命令，打开Select Cell to Instance 对话框，可以看到，在组件列表中有Cell0，nmos与 pmos这3个组件，选择nmos 组件再单击OK按钮，可以看到编辑画面出现一个nmos组件。 实验截图： （4）引用pmos组件：选择Cell—Instance命令，打开Select Cell to Instance 对话框，可以看到，在组件列表中有Cell0，nmos与pmos这3组件，选择pmos 组件再单击OK按钮，在编辑画面多出一个与nmos重叠的pmos组件，可利用Alt 键加鼠标拖曳的方式分开pmos与nmos。 （5）设计规则检查：选择Tools—DRC命令，进行设计规则检查的结果如图共发现有4个错误。利用L-Edit中的File—Open命令打开错误纪录文件Cell0.drc，系统显示有4个错误，都是违背了设计规则2.3b，并标出发生错误的坐标范围。 先回到exp4.tdb文件，查看设计规则的2.3b规则。此规则说明ndiff层与N Well有最小距离的限制，最小距离为5个Lambda。其中，ndiff即为field active 与N Select交集。 之前的ndiff区与N Well区只距离4个格点，故违背设计规则2.3b。将nmos距离与pmos距离拉开一点，使N Well与nmos的Active区至少大于5个格点即可通过设计规则检查。 （6） 新增PMOS基板节点组件：选择Cell—New命令，打开Create New Cell 对话框，在New cell name文本框中输入“Basecontactp”，单击OK按钮。 （7）编辑PMOS 基板节点组件：由于PMOS 的基板也需要接通电源，故需要在N Well上面建立一个欧姆节点， 其方法为在N Well 上制作一个N型扩散区，再利用Active Contact将金属线接至此N型扩散区。 N型扩散区必须在N Well图层绘制出Active图层与N Select图层，再加上Active Contact图层与 Metal1图层，使金属线与扩散区接触。 其中N Well宽为15个格点、高为15个格点，Active宽为5个格点、高为5个格点，N Select宽为9个格点、高为9个格点，Active Contact宽为两个格点、高为两个格点，Metal1宽为4 个格点、高为4个格点。利用L-Edit 的观察截面的功能来观察该布局图设计出的组件的制作流程与结果。 （8）新增 NMOS 基板接触点：选择 Cell—New，出现 Create New Cell 窗口选单，在Newcell name：中填入 Basecontactn，单击 OK按钮。 （9）编辑 NMOS 基板节点组件：由于 NMOS的基板也需要接地，故需要在 P Base 上面建立一个欧姆节点，其方法为在 P Base 上制作一个 P型扩散区，再利用 Active Contact 将金属线接至此 P 型扩散区。P 型扩散区必须绘制出 Active 图层与 P Select 图层，再加上Active Contact图层与 Metal1 图层，使金属线与扩散区接触。其中Active 宽为5个格点、高为5个格点，P Select宽为9个格点、