集成电路设计技术与工具mos原理补充解析.ppt

半导体与器件物理 山东科技大学信息学院 半导体器件的行为特性 如何用等效电路建立模型 二极管(Diode) pn结 n型区 施主杂质 p型区 受主杂质 单向导电性 pn结的耗尽区 反向偏置 (Reverse-biased) 耗尽区 （Depletion region) 内建电势 本征载流子浓度 结两边每单位空间的总电荷电量相等，极性相反 二极管模型 理想方程 导通固定压降 势垒电容（Junction Capacitance) 正向偏置： 反向偏置： 耗尽层电容 耗尽区电荷 耗尽区宽度 最大电场 次级效应--结击穿 耗尽区最大的电场在结点处，有 由于耗尽区附近有少子空穴和电子存在，所有的反偏pn结多会产生一个反向小电流，在电场作用下，少子穿过耗尽区，形成结的漏电流。 当反向偏压继续增加时，最大场强也增大，耗尽区中载流子携带的能量也增加。 在临界区里，穿过耗尽区的载流子携带的能量足以与硅原子碰撞产生新的空穴-电子对。 新产生的载流子能造成雪崩效应，反偏漏电流急剧增大—雪崩击穿。 雪崩击穿 结掺杂浓度 临界电场 且随着浓度增加缓慢增加 根据二极管I-V特性，没发生雪崩击穿时正常反偏电流 ，在击穿电压附近，是即反偏电流 M为倍增因子，n=3~6 雪崩电流可通过外加电阻来限制 大电流、高功耗—永久损坏 齐纳击穿 齐纳二极管 工作在雪崩区的二极管 齐纳击穿 高掺杂的节中，即使反偏电压很小也可能产生很强电场，足以把价电子从共价键中拉出来，该过程为隧道效应 稳压 金属氧化物场效应管(MOSFET) 开关特性 寄生电容小 集成密度高 低功耗 工艺相对简单 MOS管静态特性--基本工作原理 在工作状态下，栅-源电压可以改变栅极下放区域的导电能力，从而使得栅极电压可以控制源极和漏极之间的电流。 模拟电路中的增益特性 数字电路中的开关特性 NMOS管剖面图 MOS管静态特性—阈值电压 ，漏极、源极和体接地，漏源电阻极高 当栅极加正向电压时，正电荷积聚在栅极，负电荷在衬底 耗尽区 氧化层下方耗尽层宽度 耗尽区单位面积电量 随着栅极电压增加，硅表面电势达到临界值，即两倍费米值时，会产生反型现象。 栅极电压继续增加不再引起耗尽层宽度变化，而是导致氧化物层下方硅表面的耗尽区中产生一薄层电子层。 反型现象会产生连续的n型区域，包括源区和漏区，并且在栅源之间形成导电沟道。 增加或减少栅源电压，可调整沟道的导电能力。 此时耗尽区中电子密度是定值： 源极和衬底间加偏置电压，则当硅表面电势达到 阈值电压 开始形成反型层的电压叫阈值电压 包含以下几个分量 维持耗尽层电荷 所需电压 栅极金属与硅之间存在工作压差 硅表面氧化物中存在正电荷 ，由栅源电压分量来补偿 其中： 是 时的阈值电压 栅极氧化物单位面积电容量 漏极电流 当 时，产生反型现象，导电沟道形成---场效应 ，水平电场强度为0，漏源电流也为0 ，产生水平电场，产生漏电流 沟道夹断（pinch-off) 漏源电压继续增加，漏极导电沟道将会消失-夹断 夹断区，沟道的水平电场强度与漏源电压无关，与整个沟道上压降有关 饱和区 沟道长度调制（Channel-length Modulation) 由于沟道漏极夹断点和漏区本身中间存在耗尽区，所以夹断区漏极电压的变化对漏极电流的影响很小。 漏源电压增加引起漏区的耗尽层增加，有效沟道长度减少。 设耗尽层宽度为 ，则有效沟道长度为 夹断区电流： 厄尔利电压： MOS管：沟道长度调制效应参数， 考虑沟道长度调制效应，有 NMOS管大信号等效模型 I-V特性 PMOS管I-V特性 MOS器件电压限制 结击穿 穿通击穿 热载流子效应 氧化物击穿 MOS管小信号模型 利用小信号模型简化电路增益以及终端电阻的计算 如图所示MOS管， 工作在饱和区或放大区 跨导 MOS管跨导 假设 ，有 过载电压 MOS模拟电路设计挑战：低跨导-电流率 栅源电压变化引起漏极电流变化 大信号模型 假设 ，有 小于过载电压的20%，小信号分析误差小于10% 栅源、栅漏固有电容 在一定工作模式下，器件的电容是固有的 在可变电阻区，导电沟导贯通在源极和漏极之间， 在饱和或放大区，沟道在达到漏区之前就被夹断，因此漏极电压对沟道以及栅极电荷影响很小， 设沟道中存储的总电荷数 ， 输