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3.2.9 CMOS传输门(双向模拟开关) 电路 C C’ νI TN Tp 传输门 0 1 0~+VDD 截止 截止 断开 1 0 0~+(VDD-VT) 导通 截止 导通 1 0 +VT ~ +VDD 截止 导通 导通 3.2.9 CMOS传输门(双向模拟开关) * 逻辑符号 υI / υO υo/ υI C 等效电路 数据选择器 1)C=0 TG1导通, TG2断开，L=X TG2导通, TG1断开，L=Y 2)C=1 3.2.9 CMOS传输门—应用 1 2 * 作业5： 1、预习TTL门电路。 2、复习MOS门电路。 数字电子技术基础（4） 主 讲：吴玉新 手 机: 时 间：2014-10-23 第三章 逻辑门电路 3.1 简介 3.2 基本CMOS逻辑门电路 3.3 CMOS逻辑门电路的不同输出结构及参数 3.5 TTL逻辑门电路 3.7 逻辑描述中的几个问题 3.8 逻辑门电路使用中的几个实际问题 1 、门电路:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路,常用的门电路有与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门、与或非门等。 2、 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 MOS门电路 PMOS门 CMOS门 逻辑门电路 分立门电路 集成门电路 NMOS门 3.1 概述 一、 数字集成电路简介 数字集成电路按规模分为 ≤100/片 （100～1000）/片 103~ 105 /片 105 以上/片 按导电类型可分为 3.1 概述 1）CMOS集成电路:主导地位、功耗低 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000系列 74HC 74HCT 74AHC 74AHCT 速度慢 与TTL不兼容 抗干扰 功耗低 74LVC 74AUC 速度加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 速度两倍于74HC 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 低(超低)电压 速度更加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰功耗低 74系列 74LS系列 74AS系列 74ALS 2）TTL 集成电路:最早、最成熟、速度快 曾广泛应用于中大规模集成电路 3、CMOS和TTL介绍 3.1 概述 四、理想的开关元件 接通状态：电阻为0 流过开关的电流完全由外电路决定 断开状态：阻抗无穷大 流过开关的电流为0 断开与接通间的转换在瞬间完成 3.1 概述 图1高低电平实现原理电路 3.2 CMOS门电路（Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor） 3.2.1 MOS场效应管 3.2.2 MOS开关及等效电路 3.2.3 CMOS反相器 3.2.4 CMOS与非门 3.2.5 CMOS或非门 3.2.6 CMOS异或门 3.2.7 COMS漏极开路门（OD门） 3.2.8 三态输出门 3.2.9 CMOS传输门 3.2.10 NMOS门电路（自学） 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 (MOS) 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高达107 ~109 ? ； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 3.4.1 场效应管—分类 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 图1：N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图与符号 3.2.1 MOS场效应管—结构与符号 3.2.2 MOS开关及其等效电路 ：MOS管工作在可变电阻区，输出低电平 : MOS管截止， 输出高电平 当υI VT 当υI VT 3)MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。 4)Ron约在1KΩ以内，νI足够大时，Ron为25-200Ω。 MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平。 MOS管截止，相当于开关“断开”,输出为高电平。 1)当输入为低电平时： 2)当输入为高电平时： 输出电压的变化滞后于输入电压的变化 3.2.2 MOS开关及其等效电路 3.2.3 CMOS 反相器—工作原理 A L 1 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V 设：VTN = 2 V VTP = - 2 V 逻辑表达式 特点： 1、静态功耗低，几乎为零 2、导通电阻低，截止电